用各种kp模型计算块状ZB半导体的电子能带结构。 提供了最常见的半导体III-V和II-VI的数据库，并且可以对其进行调整。 各种型号可供选择： -> kp 3波段-> kp 4波段-> kp 6波段-> kp 8波段（凯恩） -> kp 8波段（Luttinger） -> kp 14乐队-> kp 16波段

替代元素对光催化半导体Cu_2ZnSnS_4能带结构优化的第一性原理研究.pdf

采用边界元法研究了具有非完好界面条件的二维三角晶格声子晶体的带隙特性。结合Bloch周期原理, 针对二组元三角晶格固-固体系声子晶体推导了含 非完好界面条件的边界元特征值方程。基于该方程, 计算了含有不同截面散射体(圆形截面、椭圆截面、正方截面)的能带结构, 讨论了晶格对称性对能带结构 的影响; 并且分析了圆形截面散射体填充比的变化对带隙位置及宽度的影响。通过与其它计算方法的结果比较, 说明边界元法可以有效准确地计算具有不同界 面条件和不同散射体形状的声子晶体的能带结构。而且, 非完好界面条件的声子晶体可以在低频打开完全带隙, 尤其圆形截面最为明显。

本文利用平面波展开法和有限元法计算了二维正方晶格钨-硅橡胶声子晶体的能带结构，分析了弹性波在嵌有周期性排列的相同孔径的圆柱形钨块声子晶体结构中的传播特性。对能带结构中出现的特殊现象，例如狄拉克点以及狄拉克点附近的简并态等进行了分析。给出了三维能带图以及不同模式下的主要变形情况，发现在基体与散射体结合的部位容易出现应力集中的现象。同时讨论了复合材料的不同参数对带隙的影响，发现随着密度比(散射体密度与基体密度的比值)的增大，第一完全带隙的起始频率逐渐增加，但是截止频率变化较小，带宽逐渐减小。相对于杨氏模量比，密度比对带隙的影响更大。本文的结果将对实际的工程应用提供一定的理论指导。

对于能带理论初学者而言的指导是本文档的最主要目的，希望对大家可以有一个帮助

为了稳定地采用多频带kp模型来分析半导体异质结构中的无杂散解（SS）的能带结构，提出了一种用于有限差分法（FDM）的埃尔米特向前和向后差分（HFBD）方案。 HFBD是一种离散化方案，它消除了差异的不稳定性，并采用Burt-Foreman Hermitian算子排序，而没有几何不对称性。 差异的不稳定性来自采用Foreman策略（FS）。 FS消除了散布曲线中非物理弯曲导致的SS，而HFBD是唯一可以准确适应它的差异方案。 与其他最新策略相比，本文提出的方法与FS一样准确，可靠，并且保留了FDM的快速性和简便性。 这种差异方案显示出稳定的收敛性，并且在可变网格大小下没有任何SS。 因此，无论它们最初生成的SS是什么，都可以使用这种方法将各种实验确定的频带参数应用于大规模稳定仿真。

石墨烯纳米带能带结构及透射特性的扭曲效应

利用COMSOL仿真二维正方晶格光子晶体的能带