4T像素结构的CMOS图像传感器论文

根据富士电机资料，汽车电子的核心是MOSFET和IGBT，无论是在引擎、戒者驱劢系统中癿发速箱控制和制劢、转向控 制中还是在车身中，都离丌开功率半导体。在传统汽车中癿劣力转向、轴劣刹车以及座椅等控制系统等，都需要加上电 机，所以传统汽车癿内置电机数量迅速增长，带劢了MOSFET癿市场增长。 新能源汽车中，除了传统汽车用到癿半导体需求之外，还需要以高压为主癿产品，如IGBT，对应癿部件有逆发器、PCT 加热器、空调控制板等。异构计算芯片是新能源汽车的“大脑”。中控芯片主要用二完成传感器信号——传感器数据— —驱劢数据——驱劢信号这样一个完整工作流程。未来主控芯片多为FPGA和ASIC。FPGA

设计了一种新型的、不随电源电压变化的、温度系数很小的nA量级CMOS基准电流源，并分析了该电路的工作原理。该基准电流源不需要使用电阻，大大节省了芯片的面积。基于TSMC 0.18 μm CMOS厚栅工艺，使用Spectre对电路进行了仿真。仿真结果表明，在输出基准电流为46 nA的情况下，该电路的温度系数为24.33 ppm/℃，输出电流变化率仅为0.028 9%/V，电源抑制比（PSRR）最高可达-85 dB，电路消耗的电流小于200 nA。

CCD_CMOS图像传感器基础与应用_11685482.pdf

无线通讯市场的趋势一直朝向低成本、低消耗功率、小体积等目标。短距离装置产品(Short-Range Devices )更在无线传感器网络(sensor network) 概念的推波助澜下，带动了射频芯片(RF IC)的需求量大增，射频收发器 (TRX)要达到低功耗设计，低电压工作是必要条件，然而，电路的效能与工作电压有关，在兼顾到效能与低功耗之间，是一个很大的挑战。近年来，RF IC之制作技术日新月异。高速、低功率组件更是众所瞩目之焦点，目前0.13um RF CMOS工艺的晶体管，fT 值可达到60 GHz，这表示CMOS晶体管有足够的能力来处理高频信号，所以产业界的主流几乎以RF CMOS

给出一低功耗、低温度系数的电压基准源电路的设计。其特点是利用工作在弱反型区晶体管的特性,该电压基准源采用CSMC 0.5μm,两层POLY,一层金属的CMOS工艺实现,芯片面积为0.036 75 mm2。测试结果表明:其最大工作电流不超过380 nA;在2.5~6 V工作电压下,线性调整率为0.025%;4 V输入电压;20~100℃范围内,平均温度系数为64 ppm/℃。以更小的面积,更低的功耗实现了电压基准源的性能。

大部分的ESD电流来自电路外部，因此ESD保护电路一般设计在PAD旁，I/O电路内部。典型的I/O电路由输出驱动和输入接收器两部分组成。ESD 通过PAD导入芯片内部，因此I/O里所有与PAD直接相连的器件都需要建立与之平行的ESD低阻旁路，将ESD电流引入电压线，再由电压线分布到芯片各个管脚，降低ESD的影响。

Design of Analog CMOS Integrated Circuits Design of Analog CMOS Integrated Circuits Design of Analog CMOS Integrated Circuits

The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits, Second Edition

半导体process工艺每一步详细流程以及图示，能直观的了解实际制作工艺步骤