为了研究适合Ka波段AIGaN／GaN HEMT的栅结构尺寸，借助二维器件仿真软件Silvaco Atlas，在完善仿真模型的基础上研究了Γ型栅各部分对AlGaN／GaN HEMT特性的影响，包括栅长与短沟道效应的关系、栅与沟道距离对短沟道效应和饱和漏电流的影响，以及栅金属厚度对fmax，栅场板对fT、fmax和内部电场的影响。根据典型器件结构和材料参数的仿真表明，为了提高频率并减轻短沟道效应，栅长应取0.15～0.25 μm；减小栅与沟道的距离可略微改善短沟道效应，但会明显降低器件的饱和漏电流，综合考虑
2022-03-03 19:27:19
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2022-02-28 13:36:39
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2021-07-30 16:17:03
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