Samsung Toggle Mode DDR NAND Specification Samsung Toggle Mode DDR NAND Specification

Write leveling 功能和 Fly_by 拓扑密不可分。Fly_by 拓扑主要应用于时钟、地址、命令和控制信号， 该拓扑可以有效的减少 stub 的数量和他们的 长度，但是却会导致时钟和 Strobe 信号在每个芯片上 的飞行时间偏移,这使得控制器（FPGA 或者 CPU）很难保持 tDQSS、 tDSS 和 tDSH 这些参数满足时序 规格。因此 write leveling 应运而生，这也是为什么在 DDR3 里面使用 fly_by 结构后数据组可以不 用和时钟信号去绕等长的原因，数据信号组与组之间也不用去绕等 长，而在 DDR2 里面数据组还是需 要和时钟有较宽松的等长要求的。

DDR内存条封装尺寸，PCB必备

Hyperlynx使用方法整理(包括ddr部分仿真DDRx Batch-Simulation Wizard

SO DIMM200 DDR2 DDR2 PCB 封装。好东西

synopsys公司的umctl2 IP，支持DDR4、LPDDR4等类型。IC designer可以下载学习！

zynq无DDR设计参考，已经在项目上实施，需要更改FSBL才可以。资料里包括微博的内容以及官方原版英文的资料。

Nexys4 DDR的官方说明文档，提供开发板的介绍及各模块的说明等。

Nexys 4 DDR开发板的DDR2 IP核的引脚约束文件（在例化DDR2 IP核的时候需要用到）。

这本书的DDR部分讲的很基础，很适合初学者，包括DDR前仿真和后仿真，教你一步一步的做，还有就是仿真的参数如何动dataheet中获取。