光刻与刻蚀工艺

光刻与刻蚀工艺.

根据德勤咨询和普华永道分析，2019 年，由于通信和数据处理应用市场增长乏力，全球半 导体市场增速放缓。但预计 2020 年-2022 年受汽车和工业半导体应用市场增长拉动，全 球半导体市场将会进入新的一轮上行周期。如图所示，根据普华永道咨询数据，2019 至 2022 年，通信和数据处理依然占据半导体下游应用市场中主要地位，预计至 2022 年，二 者市场共计将达 3650 亿美元，占下游全部市场的 63.5%。增速方面，2018-2022 年间以汽 车和工业应用半导体市场增幅最快，CAGR 分别为 12.14%和 10.67%，同时二者的市场放量 绝对数值也为所有细分应用中最高，预计 20

TWINSCAN:trade_mark: XT:1700iThe XT:1700i with HydroLith immersion technology delivers the world’s first 1.2 hyper NA for high-volume manufacturing at the 45-nm node. This innovative lithography system leverages TWINSCAN dual stages and an advanced, in-line catadioptric lens to deliver unrivalled resolution, d

【光刻】Extreme UV lithography(1)(1).pptx

周虎明 韩隽(中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035)摘要：光刻机的匹配使用是半导体工艺大生产线上提高生产效率的一项重要措施。光刻机的匹配主要包括场镜误差的匹配和隔栅误差的匹配，如何调整相同型号光刻机的匹配使用将是本文论述的重点。 关键词：套刻精度；误差；匹配；调整中图分类号：TN305 文献标识码：A1引言在超大规模集成电路圆片工艺生产线上，往往投入多台光刻机同时使用，有相同型号的多台光刻机，也有不同型号光刻机同时运行。同时随着不同工艺平台的发展(例如：从2μm生产平台逐步升级为1.2μm，1．0μm，0．8μm，0．5μm生产平台)。光刻机性能也不断地产生相应的升级；G

本文档是荷兰光刻机公司ASML的内部硅片传输分系统的控制系统设计文档，对了解光刻机内部知识以及控制系统设计有较大的帮助

微电子（光刻）制造工艺著作（新加坡国立大学，英文的），写得比较全面。

ASML Scanner 光刻机介绍

光刻工艺过程与一般器件相同，包括有：涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等。其中前烘的温度和时间需要严格控制，温度过高，时间太长，易造成显影困难；温度低，时间短，易造成浮胶，针孔或图形变形。坚膜的温度和时间控制也同样重要。鉴于CCD结构中，多晶硅条细且长，又密集，显影通常采用动态显影法，该法较易去掉胶渣，免得胶渣残留在多晶硅条中，引起连条。腐蚀在光刻中是十分重要的一环，光刻精度的提高在某种程度来说只有在腐蚀时才付诸实现的，而腐蚀质量的优劣直接影响着图形的分辨率和精确度。