功率器件的开关过程是一个复杂的过程，无论是MOS还是IGBT，在使用中或多或少都会遇到震荡现象。有一篇论文对此做了一些研究，建议阅读一下。MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制.pdf 总结说来： ①在MOS开关过程中，如果栅极电阻较小，发生了栅极电压震荡，多半是因为MOS源极寄生电感太大导致。根据U=L*di/dt，我们可以知道，栅极电阻小，开通速度快，即di/dt大，如果L(寄生电感)也大，在寄生电感上产生的电压更大。这种震荡的特点是栅极电压有过冲现象，超过米勒平台电压后下降，在米勒平台附近产生栅极电压震荡。 ②如果栅极电阻较大，栅极电压升到米勒平台后发生跌落并引起米勒平台附近的震

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。     下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。     MOSFET管FET的一种(另一种是JEFT)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到的NMOS，或者PMOS就是指这两种。     至于为什么不适用号耗尽型

LM5045DCDC电源设计计算文档，包括MOS管，变压器，输出滤波电感的选型计算

经典mos管防反接电路，实际验证 好用 自己积累备份

对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。（即要限制主MOS管反峰，又要RCD吸收回路功耗） 　　MOS管是金属（metal）-氧化物（oxid）-半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体（insulator）-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 　　RCD旋转控制装置，一种应用用石油钻井行业的特殊设备，一般应用于欠平

(笔记)电路设计(一)之上拉电阻与下拉电阻的应用 (笔记)电路设计(二)之串联匹配电阻的应用 (笔记)电路设计(三)之0欧姆电阻、磁珠、电感的应用 (笔记)电路设计(四)之电容的应用 (笔记)电路设计(五)之电感的应用 (笔记)电路设计(六)之稳压二极管的应用 (笔记)电路设计(七)之整流二极管的应用 (笔记)电路设计(八)之三极管什么时候工作在饱和区 (笔记)电路设计(九)三极管的应用 MOS管工作原理(1)

本文主要介绍了场效应管mos管vgs电压过大有什么后果。

USB 5V输入，升压给双节锂电池充电芯片IC 支持USB输入：5V2A最大。智能兼容5V1A，0.5A充电器，兼容不拉垮充电器。

STM32控制12路MOS管，可驱动大功率电磁阀

寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，一个电阻的串联，低频情况下表现不明显，而高频情况下，等效值会增大。在计算中我们要考虑进去。　　ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频情况下要考虑到等效电容值，电感值。　　我们可看做是我们的各个管脚之间都是串接了一个电容在其旁边，如图所示，由于MOS管背部存在寄生电容，这会影响到我们的MOS管的开关断的时间。　　故此，如果MOS的开关速度很快的情况下，建议选型优先考虑到本身MOS管器件的内部的寄生电容的影响。　　如图所