博途V14SP1 下的V90 PN 调试在博途V14或者V14 SP1中，用户可以通过使用硬件支持包 (HSP)在 TIA博途中添加和组态 SINAMICS V90 PN驱动装置。本文介绍了TIA 博途中如何组态 V90 PN 驱动器，并且进行基本的调试操作以及优化步骤。

HGT 20592-2009 化工钢制 管法兰 (PN系列) 要查询的标准

学习Petri Net必备资料 After simulation ends, the global performance indices described in the Scope section are stored by the PN Toolbox and can be visualized by using the Performance menu. Besides these, there are also a number of global indices for which the current values are not defined. The following two tables present the complete lists of global indices associated with the places (displayed by the Place Indices command) and the transitions (displayed by the Transition Indices command), respectively: - for a transition: • Service Sum: total number of firings; • Service Distance: average value of the current index Service Distance; • Service Rate: average frequency of firings (inverse of Service Distance); • Service Time: average value of the current index Service Time; • Utilization: average value of the current index Utilization; - for a place: • Arrival Sum: total number of arrived tokens; • Arrival Distance: average value of the current index Arrival Distance; • Arrival Rate: average frequency of token-arrivals (inverse of Arrival Distance); • Throughput Sum: total number of departed tokens; • Throughput Distance: average value of the current index Throughput Distance; • Throughput Rate: average frequency of token-departures (inverse of Throughput

PN码、Walsh码在CDMA信道中的应用

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IBM ASU 修改SN号，PN号教程，工具在本人资源里，这个是教程，很详细，按教程操作可以更改更换主板后，SN号，PN号,UUID等。

要使用这个函数，只需定义一个变量，比如 var， var = pnseq(a, b, c); 对于 a、b 和 c，请参阅 zip 文件

西门子CPU 315F-2 PN / DP手册pdf,西门子SIMATIC S7-300 CPU 315F-2 PN / DP，版本01，固件版本V3.1及以上版本

PN结电容 　　增加PN结上的反向偏置电压VJ会导致连接处电荷的重新分配，形成耗尽区或耗尽层（图1中的W）。这个耗尽层充当电容的两个导电板之间的绝缘体。这个W层的厚度与施加的电场和掺杂浓度呈函数关系。PN结电容分为势垒电容和扩散电容两部分。在反向偏置条件下，不会发生自由载流子注入；因此，扩散电容等于零。对于反向和小于二极管开启电压（硅芯片为0.6 V）的正偏置电压，势垒电容是主要的电容。在实际应用中，根据结面积和掺杂浓度的不同，势垒电容可以小至零点几pF，也可以达到几百pF。结电容与施加的偏置电压之间的依赖关系被称为结的电容-电压（CV）特性。在本次实验中，您将测量各个PN结（二极管）此特性

生成多项式的求法是个复杂的过程，此代码可以求伪随机序列的生成多项式