Silvaco TCAD器件仿真器件特性获取方式及结果分析.pdf

Doping语句参数详解： 1. 解析分布类型参数介绍 这些参数语句定义了Atlas将如何从解析函数中生成一个掺杂分布. （1）Gaussian类型解析分布 Gaussian定义了高斯解析函数的使用来生成一个掺杂分布。 如果Gaussian被定义了，那么下面的参数必须被定义。 (i) 极性参数 N.type P.type (ii)下列分布定义之一： concentration和 junction 浓度和结深 concenration 和 charactreistic 浓度和特性 dose和characteristic 剂量和特性长度 （2）Uniform定义了使用常数作为解析函数来生成掺杂分布。掺杂会通过边界参数被定义在一个box中。这个box的默认值是整个区域。同样如果Uniform被定义了，那么N.type P.type以及浓度参数都必须定义。

（2）复杂的几何刻蚀例子： 下面的例子刻蚀掉了以(0.8,0)(0.8,-0.15)(1.2,-0.15)(1.2,0)为坐标顶点的矩形氧化物区域. ETCH OXIDE START X=0.8 Y=0.0 ETCH CONTINUE X=0.8 Y=-0.15 ETCH CONTINUE X=1.2 Y=-0.15 ETCH DONE X=1.2 Y=0.0 刻蚀前 刻蚀后

非完全注释，注释主要集中在Example的注释和mesh优化方面的使用

SilVaco 很实用仿真 案例,如果一一按照案例去实际操作,很快对这软件有个清醒的认识

半导体工艺仿真专业教程 silvaco athena 的应用向导

silvaco atlas英文原版用户手册。适合silvaco器件仿真

电子电流密度分布 空穴电流密度分布

在silvaco官网下载软件安装，然后按照文件中的教程进行破解，导入lic··· 所有需要的东西都在压缩包中。 本人亲测，软件完美运行 特别说明： for windows!

实例详解： （1）用atlas语句生成一维二极管结构： go atlas #调用atlas仿真器 mesh x.m l=0.0 spac=1.0 #定义x方向网格信息 x.m l=1.0 spac=1.0 y.m l=0 spac=1.0 #定义y方向网格信息 y.m l=5.0 spac=0.005 y.m l=15 spac=2 region num=1 silicon #定义区域1，材料为硅 electrode top name=emitter #定义电极及名称 electrode bottom name=base doping uniform conc=5e17 p.type #定义p区掺杂 doping uniform n.type conc=1.e20 x.l=0. x.r=1 y.t=0.0 y.b=5.0 #定义n区掺杂 save outf=diodeex03_0.str #存储结构信息为文件diodeex03_0.str