基于瑞利大气偏振模式的太阳自主定位方法及其实现

基于三通道全天域偏振成像系统太阳位置检测方法

利用频域有限差分法，分析了两种典型晶硅电池结构的Ag背反镜的吸收损耗。研究表明：平板型晶硅电池Ag背反镜的损耗主要是由本征吸收和导模共振吸收引起，而表面等离子体共振吸收使TM模的吸收峰峰值大于TE模的吸收峰峰值；织构型的晶硅电池内部光场分布复杂，可在光垂直入射情况下，使TE模和TM模均在有源层中出现较强的导模共振效应，且TM模还可在Ag背反镜中激励起等离子体共振效应，从而使织构型晶硅电池Ag背反镜的吸收谱表现为多峰值特性，且其吸收峰峰值大于平板型晶硅电池的吸收峰峰值。

第一讲：天文参数的计算。计算日地距离、太阳赤纬角、真太阳时时差、太阳天顶角、太阳高度、太阳时角等 第二讲：相对于斜面的太阳位置计算 第三讲：地外水平面辐射量计算 第四讲：地外斜面辐射量的计算 第五讲：地表斜面上辐射量的计算 及两次问题解答

第一讲：天文参数的计算。计算日地距离、太阳赤纬角、真太阳时时差、太阳天顶角、太阳高度、太阳时角等 第二讲：相对于斜面的太阳位置计算 第三讲：地外水平面辐射量计算 第四讲：地外斜面辐射量的计算 第五讲：地表斜面上辐射量的计算 及两次问题解答

 太阳追踪； 遮光器； 单片机； 智能控制

文中利用虚拟测试技术，对光电经纬仪在飞行试验的应用进行可视化仿真。在任务准备阶段，通过优化光电经纬仪的布站，获得最佳捕获跟踪效率，同时在试验任务执行阶段，有效规避光电测试风险，合理安排任务执行时间，可得到评估光电测试精度的结论。

用于硅太阳能电池的太阳磷（POCl）扩散

研究了1 MeV和1.8 MeV电子辐照下GaInP GaAs Ge三结太阳电池的辐照损伤效应.电学性能研究结果表明, GaInP GaAs Ge三结太阳电池的开路电压、短路电流和最大功率随辐照剂量的增加发生明显衰降,在1 MeV电子辐 照下剂量为1× 1015cm- 2时,与辐照前相比最大功率衰降了17.7%.暗I-V特性分析表明,高能电子辐照下三结电池 串、并联电阻的变化是引起太阳电池电学性能衰降的重要原因.光谱响应分析结果表明,GaInP GaAs Ge三结太阳电 池电学性能发生明显衰降的主要原因是其GaAs子电池的严重损伤造成的,而GaAs子电池的损伤主要表现为基区 底部光生载流子收集效率的明显衰降.提高GaInP GaAs Ge三结太阳电池抗辐照能力的关键在于尽可能地减小 GaAs子电池的基区损伤

训练集和测试集的描述如下： 1.train_feature.csv 训练集特征数据，每个时刻1个数据，每天8个时刻，共17008条。2. train_label.csv 训练集标签数据，每天1个数据，共2126个数据。3.test_feature.csv 测试集特征数据，每个时刻1个数据，每天8个时刻，共7320条数据，字段与训练集特征数据相同。