15651 半导体器件分立器件和集成电路 - 光电子器件 - 包含全部4份标准文件 - 对应 IEC 60747.7z

行业-电子政务-具有集成分立电感器的功率转换器件.zip

完整英文电子版 IEC 60747-7：2019 Semiconductor devices – Discrete devices – Part 7：Bipolar transistors(半导体器件 – 分立器件 – 第 7 部分：双极晶体管)。IEC 60747-7:2010+A1:2019 给出了适用于以下双极晶体管子类（不包括微波晶体管）的要求。 - 小信号晶体管（不包括开关和微波应用）； - 线性功率晶体管（不包括开关、高频和微波应用）； - 用于放大器和振荡器应用的高频功率晶体管； - 用于高速开关和电源开关应用的开关晶体管； - 电阻偏置晶体管。

完整英文版 IEC 60747-3：2013 Semiconductor devices - Part 3：Discrete devices：Signal, switching and regulator diodes（半导体器件 - 第3部分：分立器件：信号、开关和稳压二极管）。IEC 60747-3:2013给出了对以下设备的要求。 - 信号二极管（不包括设计在几百兆赫以上频率工作的二极管）。 - 开关二极管（不包括高功率整流二极管）。 - 电压调节器二极管；电压基准二极管。 - 电流调节器二极管。

完整英文版 IEC 60747-4：2017 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4：Microwave diodes and transistors(半导体器件 - 分立器件 - 第四部分：微波二极管和晶体管)。IEC 60747-4:2007+A1:2017 规定了对下列各类分立器件的要求：可变电容二极管和快断二极管、混频器二极管和检测器二极管、雪崩二极管、枪形二极管、双极晶体管和场效应晶体管。

完整英文版 IEC 60747-5-4：2006 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 5-4：Optoelectronic devices - Semiconductor lasers （半导体器件-分立器件-第5-4部分：光电子器件-半导体激光器 ）。涉及术语、基本等级和特性以及半导体激光器的测量方法。

完整英文版 IEC 60747-6：2016 Semiconductor devices - Part 6：Discrete devices - Thyristors（半导体器件 - 第六部分：分立器件 - 晶闸管）。IEC 60747-6:2016为以下类型的分立半导体器件提供标准。 - 反向阻断三极管晶闸管。 - 反向导通（三极管）晶闸管。 - 双向三极管（triacs）。 - 关断晶闸管。

完整英文版 IEC 60747-7：2010 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7：Bipolar transistors （半导体器件 - 分立器件 - 第7部分：双极晶体管 ）。IEC 60747-7:2010+A1:2019给出了适用于以下双极型晶体管的子类别的要求，不包括微波晶体管。 - 小信号晶体管（不包括开关和微波应用）。 - 线性功率晶体管（不包括开关、高频和微波应用）。 - 用于放大器和振荡器应用的高频功率晶体管。 - 用于高速开关和功率开关应用的开关晶体管。 - 电阻器偏置晶体管。

完整英文版 IEC 60747-8：2021 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8：Field-effect transistors（半导体器件 - 分立器件 - 第8部分：场效应晶体管）。IEC 60747-8:2010+A1:2021给出了以下类别的场效应晶体管的标准。 - A型：结点门型。 - B型：绝缘栅耗尽型（常开）。 - C型：绝缘栅增强型（常闭）。

完整英文版 IEC 60747-9：2019 Semiconductor devices - Part 9：Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) - 半导体器件 - 第9部分：分立器件 - 绝缘栅双极型晶体管（IGBTs）。IEC 60747-9:2019规定了绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的术语、字母符号、基本额定值和特性、额定值验证和测量方法的具体产品标准。