在先前的两篇论文中，我们解释了n≤6的n维空间的所有晶体学点组的分类，并将其分类为不同的同构类，并描述了一些晶体家族。 本文主要研究空间E5的三个晶族，（二-异六边形）-al，超立方5暗和（超立方4暗）-al晶体。 对于每个研究的家庭，我们解释他们的名字，描述他们的细胞，列出他们的点群，这些点群被分类为同构类。 然后，给每个组一个WPV符号。 （WPV表示Weigel Phan Veysseyre）。 我们的方法基于对每个晶体家族的全息单元的描述以及我们中一个人建立的软件给出的结果。 在同构类中对点组进行分类的好处是给出它们的数学结构并比较其WPV符号。 这样就完成了对空间E5的所有晶体族的研究。 空间E5的某些晶体族可以用来描述不对称的结构和准晶体。

Jade-是晶体与非晶体X射线衍射图谱分析软件,通过对XRD图谱不同2theta处峰的分离与拟合,并与既有物质pdf卡比对,可分析出该物质是什么物质的什么晶型,结晶度,多种物质的含量比例等。

　　高稳定度石英晶体谐振器(简称高稳晶振)是广泛应用于通讯、电子对抗、数传电台、计算机等电子信息产品的重要器件。高稳晶振的指标直接影响产品的可靠性，因此如何检测其性能是非常重要的。

晶体二极管参数 晶体二极管一般可用到十万小时以上。但是如果使用不合理，他就不能充分发挥作用，甚至很快地被损坏。要合理地使用二极管，必须掌握他的主要参数，因为参数是反应质量和特性的。 最高工作频率fM（MC）----二极管能承受的最高频率。通过PN结交流电频率高于此值，二极管接不能正常工作。 最高反向工作电压VRM（V）----二极管长期正常工作时，所允许的最高反压。若越过此值，PN结就有被击穿的可能，对于交流电来说，最高反向工作电压也就是二极管的最高工作电压。 最大整流电流IOM（mA）----二极管能长期正常工作时的最大正向电流。因为电流通过二极管时就要发热，如果正向电流越过此值，二极管就会有烧坏的危险。所以用二极管整流时，流过二极管的正向电流（既输出直流）不允许超过最大整流电流。 晶体二极管的识别和简易检测方法 在使用前，通常先要判别极性，还要检查它的好坏，否则电路不仅不能正常工作，甚至可能烧毁二极管和其他元件。前面介绍的一些二极管封装上的符号或极性标记，我们可以作为依据。当封装上符号或极性标记看不清或者没有手册可查时，也可以根据二极管的单向导电性来判断它的好坏和极性。

Ti-Ni-Nb 共晶体铸态合金的力学行为表征，林晨阳子，罗贤晖，本文采用真空非自耗熔炼方法制备Ti36Ni38Nb26共晶体铸态合金并进行不同热处理，通过观察其显微组织形貌,采用纳米压痕试验方法表征Ti36N

如果将二十面体准晶体嵌入散装材料中，则会显示不规则形状。 如果它具有自由表面，则它具有定义明确的小平面，反映出其独特的5倍，3倍和2倍旋转对称性。 在这项研究中，通过电弧熔化制备了标称成分为Al65Cu20Fe15的Al-Cu-Fe合金，并使用扫描电子显微镜，能量色散X射线光谱和电子背散射衍射（EBSD）研究了其微观结构。 在λ晶相的表面上发现了一个额外的层。 该层的EBSD显示出5倍，3倍和2倍的旋转对称性，表明了二十面体的准晶体结构。 此外，已经发现，二十面体准晶体额外层和λ衬底具有由EBSD图案上的菊池带和极的重合所揭示的取向关系。 该报告对于有关二十面体准晶相的形成和与二十面体准晶相有关的薄膜制备的未来研究非常重要。

旧式电子仪器和音频扩大机多用电子管整流取得高压直流（如图１），但电子管易老化，常用的整流管有５Ｚ３Ｐ、５Ｕ４、６Ｚ４等。修理者常用１Ｎ５４０８等高反压二极管取代，但有两个问题要解决：１．用晶体管整流输出直流高压会明显升高，会促使其余电子管老化。２．晶体管整流一接通电源直流高压就会建立，而电路中其他电子管阴极还未充分加热，会影响使用寿命；第二条的影响大于第一条，因此必须改动线路，增加高压延时电路。　　如图２所示：根据交流电源电压的高低将２～５只１Ｎ５４０８串接，先作全波整流，而原有的整流管（５Ｚ３Ｐ）就串接在后面，这样使用可以解决前述的两个问题；即或是电子管已有些老化，都很好用。　　笔者在多台电

1. 晶振与晶体的区别 2. MEMS硅晶振与石英晶振区别 3. 晶体谐振器的等效电路

$$ \ hbox {Li} _ {2} \ hbox {MoO} _ {4} $$ Li2MoO4和CaMoO $$ _ 4 $$ 4等基于钼的晶体正在成为寻找无中微子的下一代实验的主要候选对象 使用低温量热仪（CUPID，AMoRE）进行双β衰变。 这些晶体的精美能量分辨率和高放射线纯度是以潜在有害的背景源为代价的：两个中微子双β衰变为$$ ^ {100} $$ Mo，实际上，该晶体的快速半衰期 衰变模式与低温量热仪的慢响应相结合，将导致感兴趣的能量区域发生无中微子双β衰变的堆积事件，从而降低了实验灵敏度。 只要闪烁时间常数本身不限制时间分辨率，就可以使用快速和高灵敏度的低温光探测器来抑制这种背景。 我们开发了一种新的检测技术，它利用了动力学电感检测器的高灵敏度，快速时间响应和多路复用能力。 我们将建议的技术应用于$$ 2 \ times2 \ times2 $$ 2×2×2 cm $$ ^ 3 $$ 3 $$ \ hbox {Li} _ {2} \ hbox {MoO} _ {4} $$ Li2MoO4晶体，被选作CUPID的基线选项。 我们同时用KID测量声子和闪烁信号。 我

晶体学取向对0.90(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.10(Bi0.5K0.5)TiO3 薄膜压电和介电性能的影响，李朋，翟继卫，为了深刻的研究晶体取向对薄膜的压电和介电性能的影响，本文利用溶胶-凝胶法在(100)、(110)、(111)取向的Nb掺杂的SrTiO3单晶基片上制备了