内容概要：本文详细介绍了利用COMSOL进行铌酸锂波导倍频(PPLN)仿真的方法和技术难点。首先讨论了材料设置中非线性系数d33的空间调制方式，推荐使用tanh函数代替sign函数以提高收敛性。接着阐述了波导结构的选择和模式分析的关键步骤，强调了正确设置边界条件的重要性。对于网格划分提出了在极化周期交界处局部加密的方法，并解释了分步求解策略以节省内存。最后，作者提醒注意相位匹配条件以及考虑实际器件制造中的工艺误差对转换效率的影响。 适合人群：从事非线性光学研究、光子学器件设计的研究人员和工程师。 使用场景及目标：帮助读者掌握COMSOL软件中针对PPLN结构的仿真技巧，优化仿真流程，提升仿真准确性，解决实际项目中可能遇到的问题。 阅读建议：由于文中涉及大量具体的操作细节和技术要点，建议读者结合自己的项目背景仔细研读每个部分的内容，并尝试将所学应用到实践中去。

关于电路板维修的经验。介绍了电路板常见问题，故障，以及处理方法

TIC20000基于F28069 cla应用经验.zip

在当今信息技术快速发展的时代背景下，嵌入式系统作为其中的一个重要分支，其应用范围已经覆盖了工业控制、智能家居、智能交通、医疗设备等多个领域。随着嵌入式技术的普及和发展，对于嵌入式软件工程师的需求也在不断扩大。为了适应行业的需求，提高自己的专业技能和面试成功率，一本全面、系统的面试题库资料显得尤为重要。 本题库资料《嵌入式八股文面试题库资料知识宝典-嵌入式软件工程师笔试面试经验分享(应届毕业生)》针对即将步入职场的应届毕业生，旨在为他们提供一份详尽的面试准备材料。在这份资料中，不仅包含了大量嵌入式领域的专业知识题目，还包括了一些面试技巧和经验分享，帮助应届毕业生更好地理解面试流程，准备面试中可能遇到的问题。 在题库内容的编排上，本资料涉及了嵌入式系统的基本概念、嵌入式编程基础、常用的数据结构与算法、操作系统原理、网络协议、硬件接口及编程、嵌入式软件开发流程等多个方面。这些内容不仅覆盖了嵌入式软件工程师笔试和面试中的常见问题，而且也深入探讨了一些面试官可能会深入挖掘的技术细节。 为了帮助应届毕业生更好地掌握这些知识点，资料中还特别准备了一些典型的面试题目，并附有详细的解析。比如，对于编程语言C/C++的深入理解，不仅包括基本语法的运用，还有内存管理、指针操作、文件操作等高级话题的讨论。同时，考虑到嵌入式系统与硬件紧密结合的特点，题库也包括了对常见微控制器和硬件接口的理解和应用。 此外，资料还涵盖了一些嵌入式系统的实际应用案例分析，通过案例分析的方式，让读者能够将理论知识与实际开发相结合，提高解决实际问题的能力。同时，也为应届毕业生展示了一些行业内的最新动态和技术趋势，帮助他们更好地了解行业现状和未来发展方向。 在面试技巧方面，资料整理了一些面试礼仪、简历制作要点以及常见的面试问题和回答策略。这些内容可以帮助应聘者在面试中更加自信、得体，从而给面试官留下良好的第一印象。 这份资料不仅是一份技术面试题库，更是一份全面的职业发展指南。它不仅能够帮助应届毕业生快速提升嵌入式领域的专业技能，而且能够增强他们在求职过程中的竞争力，最终顺利进入自己心仪的公司，开启职业发展的新篇章。

EMC（Electromagnetic Compatibility）即电磁兼容，是电子设备或系统在复杂的电磁环境中保持正常运行，同时不对其它设备造成难以忍受的电磁干扰的能力。EMC涉及的技术主要分为两类：EMI（Electromagnetic Interference，电磁干扰）和EMS（Electromagnetic Susceptibility，电磁抗干扰性）。本文将围绕EMI展开讨论，涉及传导干扰、辐射干扰、电流谐波、电压闪烁等概念，并将分享一些在开关电源EMI整改方面的实际经验。 EMI的传导干扰和辐射干扰分类是基于干扰传播方式的不同，其中传导干扰沿着导体传播，辐射干扰则是通过空间以电磁波形式扩散。EMI的大小与电流、回路面积和频率的平方成正比。在EMI测试中，FCC Part 15J Class B和CISPR22等标准对传导干扰提出了具体的测试频率和限制要求，这些测试可利用频谱分析仪进行。而辐射干扰测试则需要在专门的实验室进行，这是因为辐射干扰在高频段内传播，且需要特殊的测量环境。 EMI的测试等级通常分为Class A和Class B，Class A适用于工业环境，而Class B针对的是民用环境。Class A的标准相对宽松，而Class B则更为严格。在辐射测试中，Class B通常要求产品在30MHz至230MHz的频率范围内辐射限值不超过40dBm，而Class A的限制是50dBm。在EMI测试时，如果观察到的波形超过Class B但低于Class A的限制，则说明产品符合Class A的规范。 EMS涉及的是设备在经受外界电磁干扰时保持正常工作的能力。按照测试结果，EMS可分为四个等级：Class A表示测试后设备仍正常工作；Class B表示测试完成或测试中需要重启后能正常工作；Class C表示需要人工干预后能正常重启；Class D表示设备损坏，无法正常启动。对于不同等级的EMS，对应的设备电磁抗干扰能力也有所不同。 在EMI电路设计方面，X电容和Y电容是两种常用的滤波元件。X电容主要用来抑制差模干扰，其电容量越大，对低频干扰的抑制效果越好；Y电容则用于抑制共模干扰，同样电容量越大，抑制低频干扰的能力越强。Y电容通过建立一个低阻抗回路，能够短路掉流向地的电流，从而抑制共模干扰。共模电感和差模电感则分别用来抑制共模干扰和差模干扰，其电感量越大，抑制效果越好。 在开关电源设计阶段，通常会采用交流输入EMI滤波器来抑制干扰。干扰电流在导线上传输时可以分为共模方式和差模方式。共模干扰存在于任何一相对大地或中线对大地之间，主要是由电压变化率（du/dt）产生的。而差模干扰存在于电源相线之间，大小相等但方向相反。在设计EMI滤波器时，需要考虑干扰源、耦合通道和接收器三个要素，它们共同构成了电磁干扰的三要素。 在进行开关电源设计时，了解EMC标准、EMI和EMS的分类、测试方法及对应等级，以及滤波元件的选择和应用，对于确保产品的电磁兼容性至关重要。通过合理的电路设计和滤波器配置，可以有效减少开关电源的电磁干扰，并提高其在各种电磁环境中的稳定性和可靠性。这些知识点对于解决EMI问题、提高产品竞争力具有重要的实用价值。

嵌入式系统的C语言开发中，经常遇到这样那样的问题。有些问题可能很快就能找到原因，但是有些问题必须有一定的经验积累才能快速找到原因。本着“吃一堑长一智；别人吃一堑，我长一智”的精神，本文整理了本人所了解的和经常遇到的嵌入式开发中的C语言典型问题，不足之处欢迎各位专家指摘赐教。 在嵌入式开发中，C语言是常用的编程语言，但同时也常常伴随着一系列独特的问题。本文主要探讨了在嵌入式系统中使用C语言开发时可能会遇到的两类常见问题：一是由编译优化引起的问题，二是由字节对齐引起的问题。 编译优化可能导致的问题主要包括编译后的逻辑变化和处理的优化。例如，当开启编译优化时，编译器可能重新安排代码以提高执行效率，这可能导致原本预期的逻辑与实际执行的逻辑不一致。在问题排查时，开发者需要对比编译后的汇编代码和原始C代码，找出不匹配的部分。另外，编译器有时会优化掉某些硬件寄存器的读写操作，例如在定义硬件寄存器的指针时，应当使用`volatile`关键字，以告知编译器该变量可能在编译时未被观察到的变化，避免优化错误。`volatile`适用于中断服务程序、多任务环境中的共享标志以及硬件寄存器的访问。 字节对齐是另一个关键问题。结构体在内存中的布局并非简单的元素宽度之和，而是受到对齐规则的影响。结构体的每个成员会按照自身类型大小的整数倍对齐，而整个结构体会按照最大成员的大小对齐。这可能导致结构体占用额外的内存空间。开发者可以通过`#pragma pack`预编译指令来调整对齐系数，但需要注意的是，即使指定了对齐系数，成员依然按照自身类型对齐。举例来说，如果在瑞萨SH7145F CPU上使用XASS-V编译器，结构体成员的默认对齐系数为4，而数组的对齐则取决于其元素类型。在调整对齐系数时，应考虑编译器的具体设定，以确保正确地处理结构体布局。 解决这些问题需要深入理解C语言的底层机制，包括编译过程和内存管理。开发者需要熟悉特定编译器的优化策略，以及如何通过预处理指令来控制这些策略。同时，对于字节对齐，理解对齐规则和如何调整对齐策略至关重要，特别是在处理结构体包含不同类型成员，尤其是硬件寄存器映射时。 总结来说，嵌入式开发中的C语言问题往往涉及到编译器优化和内存布局，解决这些问题需要扎实的C语言基础，对编译原理的理解，以及对目标平台特性的深入认识。通过不断学习和实践，开发者可以积累经验，提高问题解决的效率。在遇到类似问题时，及时查阅文档，参考专家意见，将有助于更快地找到解决方案。

东北电力大学考研初试与复试机考经验集合涉及的内容非常丰富和详实，旨在为备考东北电力大学的考生提供全面的指导和参考。考研初试作为进入研究生阶段的敲门砖，其重要性不言而喻。该集合会涵盖初试的准备策略，包括如何规划复习时间，如何选择合适的复习资料，以及如何有效地掌握考试科目中的重难点。 在初试科目方面，集合中会具体讲述政治、英语、数学以及专业课的复习方法和技巧。例如，在政治复习上，强调对大纲中要求的各个知识点的全面掌握，同时分享如何在答题时运用政治理论解决实际问题。英语复习部分，则会涉及到词汇记忆、语法强化、阅读理解提升以及写作能力的锻炼等。数学方面，会重点介绍不同章节的解题策略、典型题目的练习方法和快速解题的技巧。专业课复习则是针对东北电力大学的特色课程进行深入讲解，帮助考生把握专业核心概念和应用技能。 复试阶段，尤其是机考环节，对于学生的专业知识和技能要求更高。在这一部分，集合会详细介绍机考的考试形式、题型结构以及评分标准，让考生对机考有一个直观的认识。同时，集合中还会提供一些机考的模拟试题和历年真题，让考生通过实践来熟悉考试流程和提高应试能力。 除了考试内容和策略的介绍外，集合还会包括东北电力大学校园环境、师资力量、专业特色、就业前景等方面的介绍，帮助考生在了解考试的同时，也对该校有一个全面的认识，以便作出更为明智的选择。此外，还会有学长学姐们分享的考研心得和经验，他们通过亲身经历给出的建议，对后来者具有很高的参考价值。 东北电力大学考研初试复试机考经验集合是一份宝贵的资料，它不仅可以帮助考生在备考过程中少走弯路，提高备考效率，还可以帮助考生对东北电力大学有更深入的了解，为将来成为一名优秀的研究生奠定坚实的基础。

内容概要：本文针对全国大学生电子设计竞赛（电赛），从历年试题解析、备赛经验分享、代码程序资源推荐三个方面展开，帮助参赛者高效备赛。历年试题分为电源类、控制类、信号处理与通信类题目，详细介绍了各类题目的典型实例及其考察重点。备赛经验涵盖组队分工、时间管理、硬件设计与软件优化技巧。代码程序资源推荐了开源平台、常用算法代码示例及仿真调试工具。最后提供备赛资源清单和常见问题解决方案，强调备赛是对技术、耐力与团队协作的全面考验。 适合人群：准备参加全国大学生电子设计竞赛的本科生及研究生。 使用场景及目标：①理解电赛历年试题的核心考点和技术要求；②掌握高效的备赛策略和技巧，包括团队协作、时间管理和技术实现；③获取丰富的代码资源和工具支持，提高备赛效率和成功率。 阅读建议：本文内容详实，建议读者根据自身情况重点学习试题解析部分，结合实际备赛阶段参考备赛经验和代码资源，确保理论与实践相结合，全面提升参赛能力。

ic 版图设计经验总结 ic 版图设计是集成电路（IC）设计的重要步骤之一。一个良好的版图设计可以确保芯片的可靠性、性能和制造效率。在这里，我们总结了 ic 版图设计的经验总结，包括版图设计的基本原则、版图设计的步骤、版图设计的注意事项和版图设计的技巧。 版图设计的基本原则 1. 版图设计的目标是实现芯片的可靠性、性能和制造效率。 2. 版图设计应该遵守工艺规则和设计规则。 3. 版图设计应该考虑到芯片的电气特性和热特性。 4. 版图设计应该尽量减少芯片的面积和功耗。 版图设计的步骤 1. 分析电路图，了解电路的工作原理和性能要求。 2. 选择合适的工艺和设计规则。 3. 进行版图设计，包括设备的布局、连线和布线。 4. 检查和验证版图设计的正确性和可靠性。 版图设计的注意事项 1. 版图设计应该考虑到芯片的热特性和电气特性。 2. 版图设计应该遵守工艺规则和设计规则。 3. 版图设计应该尽量减少芯片的面积和功耗。 4. 版图设计应该考虑到芯片的可靠性和可维护性。 版图设计的技巧 1. 使用合适的设计工具和软件。 2. 合理安排设备的布局和布线。 3. 使用合适的连接方式和线宽。 4. 考虑到芯片的热特性和电气特性。 ic 版图设计经验总结 1. 查看捕捉点设置是否正确，08 工艺为 0.1，06 工艺为 0.05，05 工艺为 0.025。 2. Cell 名称不能以数字开头，否则无法做 DRACULA 检查。 3. 布局前考虑好出 PIN 的方向和位置。 4. 布局前分析电路，完成同一功能的 MOS 管画在一起。 5. 对两层金属走向预先订好，一个图中栅的走向尽量一致，不要有横有竖。 6. 对 pin 分类，vdd、vddx 注意不要混淆，不同电位（衬底接不同电压）的 n 井分开。 7. 在正确的路径下（一般是进到 ~/opus）打开 icfb。 8. 更改 cell 时查看路径，一定要在正确的 library 下更改，以防 copy 过来的 cell 是在其他的 library 下，被改错。 9. 将不同电位的 N 井找出来。 10. 更改原理图后一定记得 check 和 save。 11. 完成每个 cell 后要归原点。 12. DEVICE 的个数是否和原理图一至（有并联的管子时注意）；各 DEVICE 的尺寸是否和原理图一至。 13. 如果一个 cell 调用其它 cell，被调用的 cell 的 vssx、vddx、vssb、vddb 如果没有和外层 cell 连起来，要打上 PIN，否则通不过 diva 检查。 14. 尽量用最上层金属接出 PIN。 15. 接出去的线拉到 cell 边缘，布局时记得留出走线空间。 16. 金属连线不宜过长。 17. 电容一般最后画，在空档处拼凑。 18. 小尺寸的 mos 管孔可以少打一点。 19. LABEL 标识元件时不要用 y0 层，mapfile 不认。 20. 管子的沟道上尽量不要走线；M2 的影响比 M1 小。 21. 电容上下级板的电压注意要均匀分布；电容的长宽不宜相差过大。 22. 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属。 23. 栅上的孔最好打在栅的中间位置。 24. U 形的 mos 管用整片方形的栅覆盖 diff 层，不要用 layer generation 的方法生成 U 形栅。 25. 一般打孔最少打两个。 26. Contact 面积允许的情况下，能打越多越好，尤其是 input/output 部分，因为电流较大。 27. 薄氧化层是否有对应的植入层。 28. 金属连接孔可以嵌在 diffusion 的孔中间。 29. 两段金属连接处重叠的地方注意金属线最小宽度。 30. 连线接头处一定要重叠，画的时候将该区域放大可避免此错误。 31. 摆放各个小 CELL 时注意不要挤得太近，没有留出走线空间。 32. Text2、y0 层只是用来做检查或标志用，不用于光刻制造。 33. 芯片内部的电源线/地线和 ESD 上的电源线/地线分开接；数模信号的电源线/地线分开。 34. Pad 的 pass 窗口的尺寸画成整数 90um。 35. 连接 Esd 电路的线不能断，如果改变走向不要换金属层。 36. Esd 电路中无 VDDX、VSSX，是 VDDB、VSSB。 37. PAD 和 ESD 最好使用 M1 连接，宽度不小于 20um；使用 M2 连接时，pad 上不用打 VIA 孔，在 ESD 电路上打。 38. PAD 与芯片内部 cell 的连线要从 ESD 电路上接过去。 39. Esd 电路的 SOURCE 放两边，DRAIN 放中间。 40. ESD 的 D 端的孔到 poly 的间距为 4，S 端到 poly 的间距为 0.2。 41. ESD 的 pmos 管与其他 ESD 或 POWER 的 nmos 管至少相距 70um 以上。 42. 大尺寸的 pmos/nmos 与其他 nmos/pmos（非 powermos 和 ESD）的间距不够 70um 时，但最好不要小于 50um，中间加 NWELL，打上 NTAP。 43. NWELL 和 PTAP 的隔离效果有什么不同？NWELL 较深，效果较好。 44. 只有 esd 电路中的管子才可以用 2*2um 的孔。怎么判断 ESD 电路？上拉 P 管的 D。

Google Earth划分区域边界图经验总结 本文总结了使用Google Earth（简称GE）软件对城市进行区域划分工作的经验，并且可以应用于暂没有电子地图的初级预规划。主要包括了区域划分方法、区域保存和区域调整三个方面。 区域划分方法：在GE中点选Add Polygon图标，出现Polygon设置页面，然后用鼠标在地图上点划边界，最后按OK（确认）键即可。在Polygon设置页面中，可以输入区域名称、划线颜色和宽度。在Area选项中，选择“Outlined”，则只画出区域边界，如果选择“Filled＋Outlined”，则按照选定颜色填充区域内部；由于规划工作通常只要区域边界，因此建议选择“Outlined”。 区域保存：划好区域后，要在Places界面中查看，划好的Polygon在哪一个文件夹下面；在划区域前，鼠标选择了哪个文件夹，划好的Polygon区域就在哪个文件夹。如果之前没有选择，则划好的Polygon会存放到“Temporary Places”文件夹下，软件关闭时不会自动保存；需要用鼠标将Polygon拖动到My Places文件夹下面，则软件可以自动保存，下次开启软件时Polygon仍旧存在。对于划好的区域，可以右键保存为文件。保存时，kml格式文件可以用Excel打开，kmz为kml的压缩格式，占用空间较小，可以根据情况选择。 区域调整：在GE中划好区域后，可以对其进行修改。在Places界面中选中要调整的区域名，然后右键选择Properties（属性），弹出Polygon设置页面，可以对名称、颜色以及区域边界等进行调整。调整名称和线条颜色的方法同新建Polygon。在Polygon边界调整中，先选择边界中要调整的端点，选中的为蓝色显示，然后按住左键可以拖动，直接调整区域。对于选中的某个端点，在其他区域按鼠标左键，可以按逆时针方向增加新端点；按鼠标右键，可以按顺时针方向逐个消除端点。 区域面积统计：在规划工作中，对划分的区域要统计面积，但普通Google Earth没有统计功能。可以使用Google Earth Pro版本，安装后打开统计功能（Ruler），选Polygon子页面，然后按照原Polygon区域边界划线，得到面积统计结果。也可以使用Global Mapper软件，将GE的地图格式转换为Mapinfo格式，进行精确统计。