（上海华虹NEC电子有限公司，上海201206）摘 要：介绍了如何通过测量得出的等效扩散长度和光刻机的照明条件来对任何光刻工艺的线宽均匀性进行评估。展示了在0.13um及以下工艺中等效扩散对能量裕度和掩模版误差因子的影响的研究结果。关键词：等效扩散长度,像对比度,能量裕度,光刻 中图分类号：TN305.7 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2005)07-0039-041 引言 化学增幅光刻胶在248nm和193nm光刻工艺中被广泛应用。化学放大的过程需要光致酸在空间上扩散开来，从而实现化学放大的催化反应。由于扩散的随机性，它会使空间像的对比度下降、掩模版误差因子的升高、及能量裕度

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解密型号有 CP1H CP1L CP1E CJ2M CPM1A CPM2A CQM1H C200 CPM2AE CPM2AH 解密软件 （型号比较多，如遇到个别解不了的PLC也正常，如扩展加密就解不了）

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该资源包含0.35um的MOS管在内的全部0.35um台积电工艺库 。 可以在HSPICE，candance等软件中调用。mm0355v.l， 全面，实用

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全加器是算术运算电路运算中的基本单元，也是构成多位加法器的基本单元，介于加法器在算术运算电路当中的重要作用，使得全加器的设计显得十分重要。通常情况下，我们采用两种结构构成全加器电路，一种是由两个半加器组成，另一种为镜像结构。本文主要介绍一个镜象结构电路的一位全加器的设计，包括电路图，基于0.18CMOS工艺的版图，以及前端网表的仿真，后端版图的验证结果。

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