提出一种用于测量微结构表面形貌的离轴显微干涉术。该技术的实验装置为一个优化的马赫-曾德尔干涉仪。其特点为参考波是具有一定载频的倾斜波。该技术中应用CCD 记录离轴显微干涉图，并用傅里叶变换方法对记录的干涉图在傅里叶面进行频谱滤波求解相位。不同于经典显微干涉术，离轴显微干涉图的载频较高，仅需单幅干涉图即可得到相位信息。因此该技术在测量中具有防振、快捷有效的特点。利用一个标准微台阶以及微孔阵列的形貌检测结果验证该技术的有效性，同时与轮廓仪的测试结果进行对比，证明结果一致。被测物也应用Mirau干涉显微镜进行测试，实验结果表明经典显微干涉图干涉信息载频不足，仅使用单幅干涉图不能得到正确相位，该组实验证明了离轴显微干涉术相对于传统显微干涉术的优越性。

光学薄膜的缺陷是光学系统性能提高的瓶颈, 一直是实验和理论研究的重点。选取电子束蒸发工艺制备光学多层膜的典型缺陷, 用扫描电子显微镜(SEM)测试了表面缺陷的形貌、成分。膜料选取：TiO2,SiO2。结果表明, 结瘤缺陷在薄膜表面呈球冠状, 成分为Ti,Si的氧化物; 膜料喷溅颗粒未被完全包覆, 或者不稳定吸附物崩落后形成的缺陷为凹坑状, 成分为Ti, Si的氧化物, 但是存在明显的Ti偏析; 有一种表面粘附缺陷呈现不规则胶体状, 碳含量明显偏高, 为有机物; 另一种粘附缺陷为带棱角块状, 成分为Ti, Si的氧化物, 与由结瘤形成的球状缺陷成分一致, 是膜层崩落粘附形成。

利用光学傅里叶变换研究多晶硅绒面微结构形貌与反射率之间的关系。理论分析表明：多晶硅绒面反射率与表面微结构形貌、单位面积上陷阱坑数量有关。如绒面由V字型槽或坑构成，则绒面反射率比较高；如多晶硅表面上密集布满U字形坑或槽、内表面绒面化，这种结构构成的绒面反射率低。实验上用不同比例的酸液刻蚀多晶体表面，用扫描电镜(SEM)观察多晶硅表面SEM图，测量了其表面反射率，分析表面结构形貌与反射率的关系。实验结果与理论分析相吻合。

分析获取的干涉图，熟练掌握MATLAB的操作，了解还原表面形貌的基本算法，编写适合的算法仿真出微结构表面形貌。 技术要求： （1）会分析所获取的微结构表面形貌干涉图； （2）熟练掌握MATLAB的操作； （3）熟悉处理干涉图的相应算法； （4）仿真出微结构的表面形貌。

实现用matelb编程的三维形貌图程序，利用傅里叶变换自动生成频谱图