ay-3-8910_reverse_engineered:反向工程的AY-3-8910芯片。 晶体管级原理图，verilog模型和带有工具的测试台，可以将寄存器转储文件呈现为.flac音轨
2022-05-30 18:21:58
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可逆PWM变换器的主电路有多种结构形式，而H型PWM变换器在直流脉宽调速系统中最为常用，它是由4个三极电力晶体管VT, VT2, VT.和VT,以及4个续流=极管VD,，VD2，VD3和VD,构成的桥式电路。
2022-05-25 18:45:57
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为了改善SiGe异质结双极晶体管（HBT）的电学和频率特性，本文设计了一种新颖的SOI SiGe异质结双极晶体管结构。 与传统的SOI SiGe HBT相比，该器件结构的发射极和集电极区域的窗口宽度更小。 在Si0.85Ge0.15引起的附加单轴应力作用下，集电极区，基极区和发射极区均发生应变，这有利于提高SiGe HBT的性能。 借助SILVACOⓇTCAD工具，数值模拟结果表明，在1062和186 V时分别获得了最大电流增益βmax和Earley电压VA，β与VA的乘积即β×VA为1.975×105当基极中的Ge分量配置为梯形分布时，V和峰值截止频率fT为419 GHz。 与传统的SOI SiGe HBT相比，提出的SOI SiGe HBT架构的截止频率fT改善了52.9％。
2022-05-12 14:49:16
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