自己科研过程中写的直流偏置光正交频分复用,研究可见光通信的朋友可以参考一下,包括可见光信道的建模,绝对可靠。
2021-08-24 09:17:05 3KB 光通信 数字信号处理 MATLAB DCO_OFDM
行业-电子政务-用于在磁性偏置扼流器处监测和电流测量的方法和装置.zip
行业-电子政务-对电源变化不灵敏的恒定跨导偏置电路及其显示器.zip
行业-电子政务-半导体三极管内部偏置电阻的测试方法.zip
第1章 微带扇形偏置电路基本理论之一 第2章 扇形微带偏置理论之二 第3章 利用ADS仿真设计扇形微带偏置的整个过程 计算10GHZ时四分之一波长高阻线(假设设计阻抗为100欧)的长度和宽度。 将高阻线和扇形微带放入电路中,并仿真和优化(注意优化的变量都有哪些) 生成版图 导出到AUTOCAD中并填充 有助于加深理解扇形微带偏置原理的ADS仿真分析 单根四分之一波长微带线的仿真 四分之一波长微带线+扇形微带线的仿真
2021-08-18 10:28:50 1.04MB 偏置 RF
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完整英文电子版 JEDEC JESD226:2013 RF BIASED LIFE (RFBL) TEST METHOD(射频偏置寿命 (RFBL) 测试方法)。这种应力方法用于确定射频偏置条件和温度随时间对功率放大器模块 (PAM) 的影响。 这些条件旨在以加速的方式模拟设备的运行条件,预计它们主要用于设备验证和可靠性监控。
2021-08-12 14:04:27 175KB JEDEC JESD226 射频 寿命
完整英文电子版 JEDEC JESD241:2015 Procedure for Wafer-Level DC Characterization of Bias Temperature Instabilities(偏置温度不稳定性的晶圆级 DC 表征程序)。本文档的范围是为代工厂和无晶圆厂客户提供最低通用协议,以比较 MOSFET 在商定的寿命终止 (EOL) 时的直流 BTI 引起的平均 VT 偏移具有可制造 CMOS 工艺和技术的沟道宽度、Wdes(Wdes >=Wmin – 见附件 B)和长度 Ldes 的晶体管。 BTI 比较是在假设的最差直流使用条件(VDDmax、TJmax)下提出的。 该程序适用于 pMOSFET 和 nMOSFET 晶体管的负 (VGS 0) (PBTI) BTI 条件。
2021-08-12 14:04:20 582KB jEDEC JESD241 温度 晶圆
行业分类-物理装置-热调偏置硅铌酸锂混合集成调制器及制备方法.zip
Clipper库是目前计算机图形届广为使用的图形处理库,可以用于解决平面二维图形的多边形简化、布尔运算和偏置处理,在CAD、加工路径与3D打印方面都有着比较重要的应用。
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行业分类-电子电器-一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路.zip