三代半导体材料之间的主要区别是禁带宽度。现代物理学描述材料导电特性的主流理论是能带理论， 能带理论认为晶体中电子的能级可划分为导带和价带，价带被电子填满且导带上无电子时，晶体不 导电。当晶体受到外界能量激发（如高压），电子被激发到导带，晶体导电，此时晶体被击穿，器 件失效，禁带宽度代表了器件的耐高压能力。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁 带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。第三代半导体材料能量密度更高。以氮化镓为例，其形成的HEMT器件结构中，其能量密度约为5- 8W/mm，远高于硅基MOS器件和砷化镓射频器件的0.5-1W/mm的能量密度，器件可承受更高的 功率和电压
2022-02-28 22:49:37
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摘要：基于植物的诊断是确定氮（N）的最重要方法之一作物的含量。 我们的目标是建立土壤-植物分析之间的关系三个发育阶段的发育（SPAD）值和氮营养指数（NNI） 水稻，并将SPAD计用作诊断工具，以预测氮素对谷物产量的响应受精。 我们确定了两个水稻的四个最上面完全展开的叶子的SPAD值在三个生育阶段以六种氮肥水平的水稻品种，并研究了两者之间的关系SPAD值和NNI。 秀水的临界氮浓度（Nc）为5.31 W–0.5，5.38 W–0.49 在Hang43中，其中W是芽的总生物量。 SPAD值与NNI的相关性随叶的位置，发育阶段和品种的不同而变化。 较低的叶子似乎更多在生物量响应方面比上部叶片对氮水平敏感，可能更适合作为N状态诊断的测试样本，尤其是在引导和航向阶段。 这第四代完全膨大叶片（L4）的籽粒产量对SPAD值的依赖性显着引导阶段（R2 L4 = 2011年，R2为0.82 ** L4 = 2012年为0.72 **）。 L4的SPAD值与N饱和图（RSPAD）（R2 L4 = 0.92 **，2011年，R2 L4 = 2012年为0.77 **）和NNI（R2 = 0.96 **
2022-02-25 14:34:16
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