本文通过对InGaAsP/InP场助异质结半导体光电阴极的材料生长、场助肖特基结的制备及阴极激活等工艺的系统研究,研制出具有较高光谱响应的半导体光电阴极,生长出优于文献报道的晶格失配率标准的材料,得到相当80年代国际水平理想因子值的场助肖特基结,用实验数据介绍提高量子效率数量级的方法和条件.研究结果表明场助异质半导体光电阴极是在红外波段很有潜力的光电发射体.
2021-02-26 17:05:28
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用ABAQUS做的两个切削模拟，分别模拟了二维切削和三维铣削过程，文件类型为inp文件。
2019-12-21 20:09:26
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Abaqus-umat的教学例子-powerlaw子程序pdf说明及inp文件，cae工程（里面包含本人呕心沥血整理，验证，注释等）
2019-12-21 18:49:51
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