采用边界元法研究了具有非完好界面条件的二维三角晶格声子晶体的带隙特性。结合Bloch周期原理, 针对二组元三角晶格固-固体系声子晶体推导了含 非完好界面条件的边界元特征值方程。基于该方程, 计算了含有不同截面散射体(圆形截面、椭圆截面、正方截面)的能带结构, 讨论了晶格对称性对能带结构 的影响; 并且分析了圆形截面散射体填充比的变化对带隙位置及宽度的影响。通过与其它计算方法的结果比较, 说明边界元法可以有效准确地计算具有不同界 面条件和不同散射体形状的声子晶体的能带结构。而且, 非完好界面条件的声子晶体可以在低频打开完全带隙, 尤其圆形截面最为明显。

本文利用平面波展开法和有限元法计算了二维正方晶格钨-硅橡胶声子晶体的能带结构，分析了弹性波在嵌有周期性排列的相同孔径的圆柱形钨块声子晶体结构中的传播特性。对能带结构中出现的特殊现象，例如狄拉克点以及狄拉克点附近的简并态等进行了分析。给出了三维能带图以及不同模式下的主要变形情况，发现在基体与散射体结合的部位容易出现应力集中的现象。同时讨论了复合材料的不同参数对带隙的影响，发现随着密度比(散射体密度与基体密度的比值)的增大，第一完全带隙的起始频率逐渐增加，但是截止频率变化较小，带宽逐渐减小。相对于杨氏模量比，密度比对带隙的影响更大。本文的结果将对实际的工程应用提供一定的理论指导。

高电源抑制比CMOS带隙基准1.pdf

模拟设计

带隙ref-on-sky130 在Skywater的130nm pdk上实现带隙基准电路。 带隙参考设计 目录 介绍 这里提出了在Skywater的开源Craft.io设计套件（pdk）上实现CMOS带隙参考电路的示例。请查看reports文件夹中的'Stage_1_Introduction_to_BGR.pdf'文件以获取更多信息。 要求 设计规范和要求列在“ bandgap_circuit_requirements.pdf”中。 工具 开源工具用于设计和模拟带隙基准电路。 XSCHEM XSCHEM是一种原理图捕获和网表EDA工具。除了Xschem，还使用了Xschem_sky130版本，该版本经过优化可与Skywater的130nm pdk一起使用。请检查此链接以获取更多信息， 尽管不需要XSCHEM在此存储库中运行模拟文件，但可以使用内置的ngspice工具安装它并支持sky

文章提出一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路。该电路具有电路结构简单、功耗低、温度系数小、线性度小和面积小等特点。采用CSMC 0.18 μm的标准CMOS工艺，华大九天Aether软件验证平台进行仿真。仿真结果表明，在tt工艺角下电路的启动时间为6.64 μs，稳定输出的基准电压Vref为 567 mV；当温度在-40℃~125℃范围内时，tt工艺角下基准电压Vref的温度系数TC为18.8 ppm/℃；电源电压在1.2 V~1.8 V范围内时，tt工艺角下基准电压Vref的线性度为2 620 ppm/V；在10 Hz~1 kHz带宽范围内，tt工艺角下基准电压Vref的电源抑制比(PSRR)为51 dB；版图核心面积为0.001 95 mm2。

模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数／模转换器、模／数转换器等电路中，基准电压的精度直接决定着这些电路的性能。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中，所要求的温度关系通常分为与绝对温度成正比(PTAT)和与温度无关2种。

经典的带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准，约为1.25V。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多，因而称为带隙基准。实际上利用的不是带隙电压。现在有些带隙基准结构输出电压与带隙电压也不一致。

该程序是声子晶体求色散关系的matlab程序，声子晶体的结构属于固体+液体组合式

梯度带隙AlGaAs / GaAs导线光电阴极的光发射特性