氮化镓（GaN）是一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，意味着GaN器件的临界电场强度大于硅。对于相同的片上电阻和击穿电压，GaN的尺寸更小。GaN还具有极快的开关速度和优异的反向恢复性能。 一、氮化镓（GaN）器件介绍:GaN器件分为两种类型: 耗尽型:耗尽型GaN晶体管常态下是导通的，为了使它截止必须在源漏之间加一个负电压。 增强型:增强型GaN晶体管常态下是截止的，为了使它导通必须在源漏之间加一个正电压。 GaN VS MOSFET: 他们的关键参数都是导通电阻和击穿电压。GaN的导通电阻非常低，这使得静态功耗显著降低，提高了效率。GaN FET的结构使其输入电容非常低，提高了开关速度。意味着GaN具有更高的效率，并可以使用更少的电磁学和被动元件。 二、手机快充介绍:能在极短的时间内（0.5-1Hr）使手机电池达到或接近完全充电状态的一种充电方法。 实现手机快速充电方法: 1.电压不变，提高电流； 2.电流不变，提升电压； 3.电压、电流均提高。 手机快速充电技术目前分为“高压小电流快充”和“低压大电流快充”两种方案。VOOC闪充和Dash闪充属于后者“低压大电流快速充电”。快速充电对手机电池的寿命没有影响，现在的电池都可以承受大电流。 三、氮化镓（GaN）快充:氮化镓（GaN）快充在已有的快充技术上通过改用氮化镓（GaN）核心器件，将手机快速充电器做到功率更大、体积更小、充电速度更快。 氮化镓（GaN）快充方案包含两个部分，充电器部分和电源管理部分 充电器部分:充电管理芯片根据锂电池充电过程的各个阶段的电器特性，向充电器发出指令，通知充电器改变充电电压和电流，而充电器接收到来自充电管理系统的需求，实时调整充电器的输出参数，配合充电管理系统实现快速充电。 电源管理部分:相应的芯片置于移动智能终端内，有独立的电源管理芯片，也有的直接集成在手机套片中，电源管理芯片对锂电池的整个充电过程实施管理和监控，包含了复杂的处理算法，锂电池充电包括几个阶段:预充阶段、恒流充电阶段，恒压充电阶段、涓流充电阶段。 转载自唯样电子资讯。

目录：氮化镓材料的光电特性氮化镓 应用市场氮化镓充电器及其设计难题氮化镓产业链氮化镓普及的

HVPE是制备GaN的主流斱法。通过高温下高纯 Ga不HCl反应形成GaCl蒸气，在衬底戒外延面不 NH3反应， 沉积结晶形成GaN。该斱法可大面积生长丏生长速度高 (可达100µm/h)，可在异质衬底上外延生长数百微米 厚的GaN层，仍而减少衬底不外延膜的热失配和晶格失配对外延材料性质的影响。生长后用研磨戒腐蚀法去 掉衬底，即可获得GaN单晶片。此法得到的晶体尺寸较大，丏位错密度控制地较好。针对高生长速度带来的 缺陷密度高问题，可通过HVPE不MOCVD中的横向覆盖外延生长法(ELOG)相结合有效改善。MBE技术是通过真空外延技术制备GaN。真空中原子、原子束戒分子束落到衬底戒外延面上，其中

与硅器件相比，由于氮化镓的晶体具备更强的化学键，因此它可以承受比硅器件高出很多倍的电场而不会崩溃。这意味我们可以把晶体管的各个电端子之间的距离缩短十倍。这样可以实现更低的电阻损耗，以及电子具备更短的转换时间。总的来说，氮化镓器件具备更快速的开关、更低的功率损耗及更低的成本优势。性能优越优越的功率器件必需具备以下6个特性：1）器件需要具备更低的传导损耗、更低的阻抗；2）开关必需更快速并在硬开关应用中如降压转换器具备更低的损耗；3）更低的电容、更少充电及放电损耗；4）驱动器使用更少功率；5）器件更细小(缩小占板面积）及6）因为需要更高输出电流和功率密度而需要更低的热阻。我们为工程师带来可支持意想不

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