【半导体工艺与器件仿真】Sentaurus TCAD平台工艺模拟与器件特性联合仿真：PN结二极管与MOSFET全流程建模、网格优化及电学特性分析

内容概要：本文档为《TCAD实验指导书-2024》，系统介绍了半导体工艺与器件仿真平台Sentaurus TCAD的使用方法，涵盖从基础Linux操作、SSH远程登录、TCAD软件环境配置，到工艺模拟、器件结构建模（SDE）、器件特性仿真（SDevice）、结果可视化分析（SVisual、Inspect）等全流程技术内容。重点讲解了通过CMD命令脚本方式进行器件几何结构、掺杂分布、网格划分的建模方法，以及静态/动态特性仿真的命令文件结构与物理模型设置，并结合PN结二极管、MOSFET、双极晶体管等器件实例进行仿真演练，强调工艺-结构-仿真的闭环验证流程。此外，还涉及网格重划分、参数化仿真、工艺优化等高级技巧，旨在培养学生掌握现代半导体器件仿真与工艺开发的核心能力。; 适合人群：微电子、集成电路、电子科学与技术等相关专业的本科生、研究生及从事半导体器件与工艺研发的工程技术人员。; 使用场景及目标：①掌握Sentaurus TCAD工具链的基本操作与仿真流程；②学会使用CMD脚本进行器件结构建模与工艺仿真；③掌握器件电学特性（I-V、C-V、开关特性等）的仿真与分析方法；④理解工艺参数对器件性能的影响，具备通过仿真优化器件设计的能力。; 阅读建议：建议按照实验顺序逐步实践，重点理解CMD命令脚本的语法结构与物理含义，结合SVisual和Inspect工具进行结果验证。对于复杂命令（如refinebox、pdbSet、solve等），应结合实例反复调试，注重理论知识与仿真结果的对比分析，以深化对半导体器件物理与工艺机制的理解。