半导体单晶抛光片清洗技术
在实际清洗处理中，常采用物理、或化学反应的方法去除;有机物主要来源于清洗容积、机械油、真空脂、人体油脂、光刻胶等方面，在实际清洗环节可采取双氧水或酸性溶液去除 ;氧化物主要是相应半导体单晶抛光片在自然含氧环境中形成的，且在后期会形成较为严重的化学缺陷。在实际清洗环节可采用稀氢氟酸或稀盐酸进行浸泡处理。
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