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GaN 和 SiC 晶体管之间的区别
GaN 和 SiC 晶体管之间的区别
上传者:
jfkj2021
|
上传时间: 2021-06-28 17:04:05
|
文件大小: 123KB
|
文件类型: DOCX
ganglia
摘要:氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管就是其中的两种解决方案。 这些器件与长寿命硅功率LDMOS mosfet和超结mosfet竞争。 GaN和SiC器件在某些方面是相似的,但也有显著的差异。 本文对两者进行了比较,并提供了一些事实,以帮助您为下一个设计做出决策。
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