AT45DB041B中文手册

### AT45DB041B 数据Flash存储芯片关键技术知识点 #### 1. 特点概述 - **单电源供电**：支持2.5V-3.6V或2.7V-3.6V的单电源供电模式，提高了芯片在不同应用环境下的适应性。 - **兼容SPI接口**：兼容串行外设接口（Serial Peripheral Interface, SPI），简化了与微控制器或其他主机设备之间的通信。 - **高速时钟频率**：最高支持20MHz的时钟频率，确保了快速的数据传输速率。 - **页编写操作**：支持页级别的数据编写操作，提高了编程效率。 - **单周期程序重调**：实现擦除和编写操作的单一周期完成，减少了整体操作时间。 - **大容量主内存**：具有2048页（每页264字节）的主内存，总容量约为4MB，满足大量数据存储需求。 - **灵活的擦除操作**：支持页级和块级的擦除操作，提供了更多样化的数据管理方式。 - **集成式SRAM缓存**：内置两个264字节的SRAM缓存，可在进行程序重调时接收数据，提高了数据处理速度。 - **低功耗特性**：有效读取工作电流仅为4毫安，CMOS待机电流仅为2微安，适用于电池供电的移动设备。 - **数据保护**：具备数据保护功能，增加了数据的安全性。 - **高兼容性**：与AT45DB041及AT45DB041A完全兼容，方便现有系统的升级和替换。 - **5V输入容限**：对于SI、SCK、CS、RESET和WP等关键引脚，支持5V的输入电压容限，增强了接口的鲁棒性。 - **宽温范围**：支持商用和工业温度范围，能够在不同的环境中稳定运行。 #### 2. 描述与应用场景 - **串行接口闪存**：AT45DB041B是一款采用串行接口的闪存芯片，特别适合于数字语音、图像编码及数据存储等应用场景。 - **大容量存储阵列**：拥有4,325,376位的内存，由2048个页组成，每页包含264字节，能够存储大量的数据。 - **SRAM数据缓存**：除了主存之外，还配备有两个264字节的SRAM数据缓存，可用于在进行页级别的编程操作时接收数据，提高了数据处理效率。 - **EEPROM仿真**：支持位或字节级别的可变数据更新，便于处理独立的读-修改-写操作。 - **SPI串行接口**：使用SPI串行接口进行数据存取，简化了外部硬件设计，增强了系统的可靠性，并降低了封装尺寸和引脚数量。 - **高密度、低引脚数量、低电压、低功耗**：非常适合那些对高密度存储、少引脚、低电压和低功耗有特殊要求的应用场合。 #### 3. 引脚配置 - **CS**：片选信号，用于选通芯片。 - **SCK**：连续时钟信号，用于控制数据的传输。 - **SI**：连续输入信号，用于数据的输入。 - **SO**：连续输出信号，用于数据的输出。 - **WP**：硬件页写保护信号，用于保护数据不被意外改写。 - **RESET**：芯片复位信号，用于初始化芯片状态。 - **RDY/BUSY**：等待/忙信号，用于指示芯片当前的工作状态。 #### 4. 存储器体系结构 - **扇区、块、页结构**：存储阵列被划分为扇区、块和页三个层次，提供了高度的灵活性。 - **编写与擦除操作**：所有编写操作以页为单位进行；擦除操作则可以在页或块级别完成。 - **指令操作**：通过指定的操作码和地址码，可以执行读取、写入等操作。 - **读取命令**：支持从主存或数据缓存中读取数据，支持多种SPI模式下的读取操作。 - **连续阵列读取**：通过提供初始地址，可以使用连续读取命令从芯片中读取连续的数据流，无需额外的地址信息。 AT45DB041B是一款高性能、低功耗的数据Flash存储芯片，具备丰富的功能和优秀的性能指标，适用于多种数字存储应用。