XM25QH128AHIG-规格书-XMC(武汉新芯)NOR FLASH规格书.PDF

**XM25QH128AHIG规格书概述** XM25QH128AHIG是一款由武汉新芯（XMC）制造的128M-bit串行闪存（NOR Flash），专为各种电子设备提供非易失性存储解决方案。这款芯片具备高效能、低功耗和灵活的接口选项，适用于多种应用场合。 **关键特性** 1. **单电源操作**：工作电压范围为2.7到3.6伏，确保在不同电源环境下稳定运行。 2. **串行接口架构**：支持SPI兼容模式，包括Mode 0和Mode 3。提供了标准SPI、双SPI和四SPI接口，以适应不同的系统需求。此外，用户可配置虚周期数量。 3. **存储容量**：128M-bit的存储空间，等效于16,384 KByte或65,535个页面，每个编程页面为256字节。 4. **高性能读取**：正常读取速度高达50MHz，快速读取模式下，标准SPI、双SPI和四SPI分别可达104MHz，但需不同数量的虚周期。 5. **写入暂停与恢复**：支持写入暂停和恢复功能，允许在数据写入过程中中断并稍后继续，增强了系统的灵活性。 6. **SFDP（Serial Flash Discoverable Parameters）支持**：内建SFDP签名，方便系统自动识别和配置。 7. **低功耗设计**：典型活动电流仅为5mA，待机状态下典型电源下电流仅为1μA，有效降低能耗。 8. **统一的扇区结构**：采用4096个4-Kbyte扇区、512个32-Kbyte块和256个64-Kbyte块的结构，每个扇区或块可以独立擦除。 9. **软硬件写保护**：软件和硬件层面都支持全内存或部分内存的写保护，并可通过WP#引脚启用或禁用保护。 10. **软硬件复位**：提供软件和硬件复位功能，确保系统状态的可靠恢复。 11. **快速编程与擦除**：页编程时间为0.5ms，扇区擦除为40ms，半块擦除为200ms，块擦除为300ms，全芯片擦除为60秒。 12. **易用性**：包含可锁定的512字节OTP安全区域，用于存储敏感信息；可读取唯一的ID号码。 13. **耐久性和数据保留**：具有10万次的典型耐久性循环，数据保留时间长达20年。 14. **封装选项**：提供SOP 208mil 8L、WSON 5x6 8L和TFBGA 6x8 24ball等多种封装形式，所有封装均符合RoHS、无卤素和REACH标准。 15. **工作温度范围**：支持工业级温度范围，确保在各种环境条件下稳定工作。 XM25QH128AHIG是适用于嵌入式系统、物联网设备、微控制器和其它需要大容量、高性能非易失性存储的领域的理想选择。其丰富的特性集和高度的灵活性使其能够在多种应用场景中发挥重要作用。