功率器件更加智能，高能效功率电子技术新进展
随着时间的推移，功率晶体管技术得到了持续的改善。器件的体积不断缩小，功率密度越来越高。在电压高于1kV的大功率晶体管方面，双极结构已成为首选；低于1kV电压，特别是频率高于100kHz时，更多采用的是MOSFET。高于此电压的大电流应用则选择IGBT。
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