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热化学气相沉积法制备定向碳纳米管薄膜 (2005年)
热化学气相沉积法制备定向碳纳米管薄膜 (2005年)
上传者:
38571453
|
上传时间: 2026-01-26 19:11:54
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文件大小: 497KB
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文件类型: PDF
自然科学
论文
采用热化学气相沉积法(CVD),以乙炔为碳源,在单晶硅上制备了定向碳纳米管薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)观察了碳管薄膜及衬底表面形貌。结果表明,以多孔硅为衬底生长的碳纳米管管径均匀且离散分布,定向性良好。生长前氨对催化剂膜的预处理具有刻蚀作用,可显著提高碳管的生长密度,从而获得碳纳米管阵列膜。
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