基于SiGe HBT工艺的GNSS接收机混频器设计
针对目前国内RFIC发展比较滞后的现状，设计了3款应用于GNSS接收机的基于0.5μm SiGe HBT工艺的混频器（Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ），并采用针对混频器的优良指数FOM（figure-of-merit）对这3个混频器进行结构和综合性能比较。3款混频器的供电电压为3.3V，本振LO输入功率为-10dBm，其消耗总电流、转换增益、噪声系数、1dB增益压缩点依次为：Ⅰ）8.7mA，15dB，4.1dB，-17dBm；Ⅱ）8.4mA，10dB，4.6dB，-10dBm；Ⅲ）5.4mA，11dB，4.9dB，-10dB
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