RS1G32LO4D2BDS-53BT.pdf

RS1G32LO4D2BDS-53BT是一款低电压、高性能的LPDDR4X和LPDDR4同步动态随机存取存储器（SDRAM），采用200引脚小型球栅阵列（VFBGA）封装形式。该产品具有512M x 32、1G x 32、1536M x 32以及2G x 32的容量配置，通过不同的引脚数提供不同的存储解决方案。LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM具有16n预取架构，支持单端CK和DQS信号。 RS1G32LO4D2BDS-53BT支持超低电压核心和I/O电源供应，工作电压范围分别在1.70-1.95V、1.06-1.17V和0.57-0.65V之间。设备配置提供灵活性，允许在不同的电压下运行，以优化功耗和性能。其工作频率范围为2133至10MHz，对应的数据速率为4266至20Mb/s。 此外，这款DRAM采用8个内部存储体，支持单数据速率命令/地址输入，具有可编程读写延迟和突发长度，使系统能够根据需要调整性能。该设备还支持单片温度传感器，以控制自刷新速率，并提供部分阵列自刷新功能以优化功耗。 RS1G32LO4D2BDS-53BT还提供了在芯片温度传感器的控制下，灵活的输出驱动强度选择，并具备时钟停止功能。该芯片符合RoHS标准，采用了“绿色”封装设计，其操作温度范围为-25°C至+85°C。 核心特性还包括： - 16n预取DDR架构，以提供更高的吞吐量。 - 1536M x 32、2G x 32的存储容量配置，为不同的应用场景提供合适的解决方案。 - 超低电压工作范围，有助于降低功耗。 - 可以在不同的速度等级之间切换，以适应不同的系统要求。 - 时钟停止功能，在不需要时可以停止时钟，进一步降低功耗。 - 支持RoHS标准，符合环保要求。 表格1中的关键时序参数列出了不同速度等级的特性，如时钟频率、数据速率、写延迟和读延迟。其中，速度等级-53的时钟频率为1866MHz，数据速率为3733Mb/s，写延迟为16时钟周期，读延迟在DBI（数据总线反转）启用和禁用时分别为32和36时钟周期。速度等级-46的时钟频率为2133MHz，数据速率为4266Mb/s，写延迟为30时钟周期，读延迟在DBI启用和禁用时分别为36和40时钟周期。 RS1G32LO4D2BDS-53BT适用于需要高速、低功耗存储解决方案的移动设备和嵌入式系统，如智能手机、平板电脑、便携式电子设备和汽车信息系统等。通过优化的电压和电源管理，以及可编程的读写延迟和突发长度，该LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM能够为高性能和移动计算设备提供先进的内存性能。