fab术语详解.pdf

: "fab术语详解.pdf" 集成电路产业的后端支撑关键在于工艺厂，即Fab。这份文档详细解析了Fab内部常见的专业术语，帮助读者快速理解Fab中的各种工艺流程和设备。以下是一些核心概念的详细说明： 1. **Active Area（主动区）**：主动区是指在半导体制造过程中，用来构建晶体管的区域。它是由氮化硅光罩经过局部场氧化后形成。由于鸟嘴效应（Bird’s Beak），实际的主动区面积会比氮化硅光罩定义的区域小，例如在0.6μm的场区氧化中，鸟嘴效应可能导致主动区减少0.5μm。 2. **ACTONE（丙酮）**：丙酮是一种常见的有机溶剂，用于清洗和擦拭黄光室内的正光阻。它具有刺激性气味，对神经系统有一定麻醉性，长期接触可能导致皮肤炎症和呼吸道刺激。在Fab中，丙酮的允许浓度为1000ppm。 3. **ADI（显影后检查）**：ADI是指在显影步骤之后进行的检查，目的是检测光刻过程中的问题，如覆盖不良或显影不充分，并及时修正，以保持产品的良率和质量。检查通常通过目视或显微镜进行。 4. **AEI（蚀刻后检查）**：AEI是在蚀刻后进行的全面或抽样检查，旨在提高产品良率，确保一致性和重复性，以及监控制程能力。不良品通常不轻易修改，因为重新氧化或再氧化可能影响组件性能，增加缺陷密度和成本。 5. **AIR SHOWER（空气洗尘室）**：在进入洁净室之前，工作人员需经过空气喷洗机，以清除无尘衣上的尘埃，保持洁净环境。 6. **ALIGNMENT（对准）**：对准是利用芯片上的对准标记和光罩上的标记进行精确对位，确保在IC制造中多层图形的准确重叠。对准方法包括人眼对准和机械式对准。 7. **ALLOY/SINTER（熔合）**：熔合过程是为了实现铝与硅基之间的欧姆接触，降低接触电阻，提高电路性能。 8. **AL/SI 铝/硅 靶**：铝/硅靶是金属溅镀时使用的材料，其原子被离子撞击后沉积在芯片表面，作为组件与外部电路的连接。 9. **AL/SI/CU 铝/硅/铜**：这是一种含铜、硅和铝的金属靶材，用于溅镀过程，以防止金属电荷迁移并优化性能。 10. **ALUMINUM（铝）**：铝是常用的金属溅镀材料，用于形成芯片与外部导线间的连接。 11. **ANGLE LAPPING（角度研磨）**：角度研磨是测量结深的预处理步骤，通常采用光干涉法。随着VLSI组件尺寸的减小，该方法的精度逐渐无法满足需求，现在更多采用扩散电阻探针（SRP）等更精确的方法。 12. **ANGSTRON（埃）**：埃是长度单位，常用于描述IC制程中的薄膜厚度，如二氧化硅、多晶硅或氮化硅等。 13. **APCVD（常压化学气相沉积）**：APCVD是一种在大气压下进行的化学气相沉积技术，用于在半导体表面沉积各种薄膜，如氧化硅、氮化硅等。 这些术语构成了集成电路制造中不可或缺的一部分，理解和掌握这些知识对于理解和操作Fab的工艺流程至关重要。