内存时序 　　一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点

修改内存时序 667成功刷800 ddr2 800刷1000 已多次试验相当稳定

所有主板都可以用,查看内存时序的

DDR内存时序设置详解 DDR内存时序设置详解

内存的原理和时序（SDRAM、DDR、DDR-Ⅱ、Rambus DRAM）.pdf

amdmemorytweak - 即时读取和修改内存时序