介绍了四能级系统的受激辐射耗尽(STED)荧光显微镜的基本原理。按照时间顺序介绍了面包圈型耗尽光焦斑的实现方法。对于横向分辨率的改善，最初使用了光路偏移法，后来发展到均分相位板法，再到成熟的螺旋相位板法；另外还介绍了半波相位板法对轴向分辨率的改善。从宽带光源激发、连续光源激发、多色多通道、快速成像和双光子激发等方面综述了受激辐射耗尽荧光显微镜实验装置的逐步完善。最后展望了受激辐射耗尽荧光显微镜的发展前景。
2021-10-26 16:49:13
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本文报道了以590.0～625.0 nm宽波段范围内任何波长的脉冲激光双光子激发锂分子,均可产生435.0～445.0 nm扩散带受激辐射的实验结果,对激发和发射机制进行了讨论。
2021-02-26 17:05:16
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在XeCl激光光泵的Ba蒸气中,首次观察到波长为551.9nm、606.3nm及611.1nm的受激辐射,它们分别对应于Ba原子的三重态跃迁:6s6d3D2—6s6p3P1、5d6p3P2-6s5d3D3及5d6p3P1—6s5d3D2.对于Ba原子的自旋禁戒跃迁6s7p1P1—6s6d3D2的可能性进行了探讨.
2021-02-26 16:07:03
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格比（Gebbie)和马赛厄斯(Mathias)等人曾证明：于法布里-珀罗谐振腔中，在气压不太高的HCN、CH3CN或BrCN蒸汽中脉冲放电时，可以产生受激振荡。
2021-02-06 09:04:33
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