在深入讨论反激、正激、推挽电路的自偏置同步整流技术之前，我们需要先了解这三种电路的基本工作原理及其应用场景。 反激变换器（Flyback Converter）是一种非常基本的DC/DC转换器，其核心在于变压器的隔离作用以及一次侧和二次侧的开关时间。在反激变换器中，输入电压在变压器的一次侧通过一个开关管（通常是MOSFET或晶体管）向变压器储存能量，当开关管关闭后，变压器的一次侧储存的能量会传递至二次侧，并通过一个整流二极管转换为负载所需的电压和电流。反激变换器的优点在于其简单性、低成本和较高效率，常用于小功率隔离电源。 正激变换器（Forward Converter）与反激变换器类似，同样采用隔离变压器，但其工作方式略有不同。正激变换器的二次侧在一次侧开关管导通时即开始工作，通过一次侧的开关动作直接将能量传递到二次侧。正激变换器的特点是工作效率较高，但其控制相对复杂，通常用于中等功率的隔离电源。 推挽变换器（Push-Pull Converter）使用两个具有相同特性但在相位上相反的开关管对变压器一次侧进行开关动作。这种配置能够利用变压器的上下两侧产生交替的磁通，从而在二次侧产生连续的输出。推挽变换器通常用于中高功率的隔离电源，具有较高的效率和功率密度。 在这三种电路中，同步整流（Synchronous Rectification）技术是一种替代传统整流二极管的技术，它使用同步工作的开关管（通常是低导通电阻的MOSFET）来减小整流过程中的电压降，从而提高变换器的整体效率。同步整流技术的应用尤其在低压大电流输出中效果显著，因为此时整流二极管上的压降会造成较大功率损失。 自偏置同步整流电路是指同步整流器的驱动无需外部偏置电源，而是通过整流器本身或者变换器的某些电路特征求得偏置电压。自偏置技术简化了同步整流器的设计，降低了成本和复杂性。 然而，正如描述中提到的，在正常输入电压值附近工作时，自偏置同步整流的效果是十分明显的。但当输入电压升高至高端时，电路效率会下降，并且可能会损坏MOSFET。这是因为在高输入电压下，MOSFET承受的电压应力增大，特别是在开启和关闭时。因此，虽然自偏置同步整流电路在低压输出场合下十分有效，但在设计时还需充分考虑如何在高输入电压下保护MOSFET，以确保电路的稳定性和可靠性。 在实际应用中，自偏置同步整流电路的适用条件通常受限于输出电压。给出的条件是输出电压小于5V时才适用。这可能是因为在较低的输出电压下，MOSFET可以以较低的导通电阻工作，从而降低导通损耗。而当输出电压较高时，为了保持同步整流器的工作效率和减少损耗，可能需要额外的电路设计或控制策略，以确保MOSFET的安全和效率。 在设计自偏置同步整流电路时，需要综合考虑输出功率要求、MOSFET的特性参数（如导通电阻、耐压等）、变压器的设计以及整体电路的热设计。此外，电路设计时还需充分考虑电磁兼容（EMC）和电磁干扰（EMI）问题，确保电路在不同工作条件下均能稳定可靠地运行。

同步整流电路特点： 在稳态时，电感电流上升和下降的变化量是相等的，但上下管导通时间不同，两管的电流有效值也不同，导通时间越长，电流有效值大，管子发热也大。 根据上图计算上下管的电流有效值： Irmsup/Irmsdn=sqrt( D/(1-D)) Vcore=Vin*D=>D=Vcore/Vin=1.6/12=0.133 代入上式：Irmsup/Irmsdn=sqrt(0.133/(1-0.133))=0.4 Irmsdn=2.5Irmsup 所以下管必须用电流容量更大的管或双管并联。

在大电流输出的情况下，制造中点抽头变压器工艺复杂造价高。而采用图1所示的倍流（Current Doubler）同步整流电路，可以不用中点抽头变压器，并且采用两个滤波电感，制造容易造价低。 　　图1 控制信号的时序 　　图2 倍流同步整流电路 　　倍流整流电路，可以用于半桥式或全桥式等转换器，它的工作原理是：当变压器同名端为正时， SR1导通，SR2关断，电感L1通过变压器和SR1储能，并向负载提供电能，电感L2通过SR2向负载释放电能；反之，当变压器的同名端为负时，SR2导通，SR1关断，电感场通过变压器和SR2储能，并向负载提供电能，电感Ly通过SR2向负载释放电能。 　　可

同步整流电路分析 非同步整流电路结构简单，容易驱动，但因作为续流的肖特基二极管管压降大，功率损耗较大，导致整个电源效率降低，所以一般用在输出电压较高，输出电流较小的场合；而对于用在低电压，大电流的场合，如 CPU 的供电电源则需用同步整流电路。

Buck同步整流电路MOSFET损耗的计算

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