在科研、生产、实验等应用场合，经常用到电压在5～20V，电流在5～40A的电源。而一般实验用电源最大电流只有5A、10A。本文专门开发了以51系列单片机为控制单元，以 TL494 作为核心部件，以AT89C52 单片机作为控制部件的开关稳压电源。该稳压电源具有在一定范围内可调、结构简单 , 工作可靠的特点 ,该电路设计简单，应用广泛，精度较高等特点。 【基于单片机的数控开关电源的毕业设计】是一篇探讨使用51系列单片机进行开关稳压电源设计的文章，适用于科研、生产、实验等场景。这种电源能够提供5～20V的电压和5～40A的电流，满足了高于一般实验电源需求的电流输出。设计的核心是51系列单片机，配合TL494作为核心部件，以及AT89C52单片机作为控制单元，实现了电源的数字化控制，具有可调性、简单结构和高可靠性。 开关稳压电源在现代电子技术中扮演着重要角色，因其高效、小型化的特点而被广泛应用。然而，传统的开关电源存在输出电压纹波大、稳定性不足的问题。作者设计的新电源旨在解决这些问题，提高了输出电压的稳定性。电源的设计主要由四部分组成：稳压开关电源的设计、DC-DC变换电路、数码管显示电路和软件设计。 1. 单片机最小系统是实现这一设计的基础，它包括单片机、晶振电路和复位电路。51系列单片机如AT89C51/52在复位电路中，利用电容和电阻产生复位所需的高电平。晶振电路通常选择11.0592MHz或12MHz的频率，以支持精确的定时和串口通信。 2. 开关稳压电源的电路原理框图包含了整流滤波电路，采用单相全波桥式整流，降低输出噪声纹波。利用TL494芯片，可以通过调整占空比来改变输出电压，实现5～20V的可调范围。 3. DC-DC变换电路是电源的关键部分，负责电压的提升或降低，以满足不同负载的需求。TL494作为脉宽调制控制器，可以有效地控制晶体管的开关，从而调整输出电压。 4. 数码管显示电路则用于直观地显示当前电源的输出状态，便于用户监控和调整。 5. 软件设计部分则涵盖了控制算法和人机交互界面，使得电源能够根据预设或实时需求进行智能化调整，同时提供了远程监控和故障诊断的能力。 这个基于单片机的数控开关电源设计结合了单片机技术、开关电源理论和控制策略，旨在提高电源的稳定性和灵活性，以适应不断发展的电子设备需求。这样的设计不仅提高了电源的性能，还降低了维护成本，增强了系统的可扩展性。

基于ADS的场效应管振荡器的设计，郭云霞，周云耀，借助ADS系统软件以及S参数网络分析法，对二端口串联反馈微波振荡器进行设计并得出仿真波形图，满足振荡平衡条件。该电路基于MESFET��

1.概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR， 但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。2.功率MOSFET的结构和工作原理功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N

本文主要介绍了场效应管mos管vgs电压过大有什么后果。

场效应管在mpn中，它的长相和我们常面讲的三极管非常像，所以有不少修朋友好长时间还分不清楚，统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC统统称作“三个脚的管管”，呵呵，如果这样麻木不分的话，你的维修技术恐怕很难快速提高的哦！     言归正传，说到场效应管的长相恐怕我就不用贴图了，在电路图中它常用     表示，关于它的构造原理由于比较抽象，我们是通俗化讲它的使用，所以不去多讲，由于根据使用的场合要求不同做出来的种类繁多，特性也都不尽相同;我们在mpn中常用的一般是作为电源供电的电控之开关使用，所以需要通过电流比较大，所以是使用的比较特殊的

摘要：以N沟道増强型场效应管为核心，基于H桥PWM控制原理，设计了一种直流电机正反转调速驱动控制电路，满足大功率直流电机驱动控制。实验表明该驱动控制电路具有结构简单、驱动能力强、功耗低的特点。   1引言 长期以来，直流电机以其良好的线性特性、优异的控制性能等特点成为大多数变速运动控制和闭环位置伺服控制系统的最佳选择。特别随着计算机在控制领域，高开关频率、全控型第二代电力半导体器件（GTR、GTO、MOSFET.、IGBT等）的发展，以及脉宽调制（PWM直流调速技术的应用，直流电机得到广泛应用。为适应小型直流电机的使用需求，各半导体厂商推出了直流电机控制专用集成电路，构成基于微处理器控制的直流电机伺服系统。但是，专用集成电路构成的直流电机驱动器的输出功率有限，不适合大功率直流电机驱动需求。因此采用N沟道増强型场效应管构建H桥，实现大功率直流电机驱动控制。该驱动电路能够满足各种类型直流电机需求，并具有快速、精确、高效、低功耗等特点，可直接与微处理器接口，可应用PWM技术实现直流电机调速控制。   2直流电机驱动控制电路总体结构 直流电机驱动控制电路分为光电隔离电路、电机驱动逻辑电路、驱动信号放大电路、电荷泵路、H桥功率驱动电路等四部分，其电路框图如图1所示。   由图可以看出，电机驱动控制电路的外围接口简单。其主要控制信号有电机运转方向信号Dir电机调速信号PWM及电机制动信号 Brake，vcc为驱动逻辑电路部分提供电源，Vm为电机电源电压，M+、M-为直流电机接口。

MOSFET的跨导gm和输出电导gds L0 * 根据MOSFET的跨导 gm的定义为： MOSFET I-V特性求得 MOSFET的优值:

模拟电子技术 结型场效应管的特性.pdf 学习资料 复习资料 教学资源

模拟电子技术 绝缘栅型场效应管的特性.pdf 学习资料 复习资料 教学资源

我们常用的场效应管的具体型号及其参数，以供大家需要时查阅。