本书《半导体与半金属：外延微结构》深入探讨了半导体材料中外延微结构的研究进展。书中详细介绍了外延生长技术，包括分子束外延（MBE）、金属有机化学气相沉积（MOCVD）等，及其在制造高质量量子阱和超晶格器件中的应用。同时，本书还讨论了量子限制效应在化合物半导体量子阱和超晶格中的表现，以及这些效应如何促进了新型量子器件的发展。此外，书中还涵盖了调制掺杂技术在二维电子气（2DEG）中的应用，以及由此带来的诸如分数量子霍尔效应等重大发现。本书不仅适合从事半导体材料和器件研究的专业人士，也适合对相关领域感兴趣的研究生和研究人员。

B 题 碳化硅外延层厚度的确定

逻辑学 概念外延间的关系.pdf，这是一份不错的文件

课程内容： 1 外延层质量参数 1.1 外延层电阻率ρepi 1.2 外延层的杂质浓度分布 1.3 外延层厚度 1.4 少数载流子寿命 1.5 外延层中的缺陷 1.5.1 表面缺陷 1.5.2 体内缺陷 2 外延层质量参数的检验 2.1 ρepi的检验 2.1.1 三探针法测ρepi-对（外延层/衬底）导电类型相同者 2.1.2 四探针法测ρepi-对（外延层/衬底）导

课程内容： 1 外延层层错 1.1 外延层层错的形成模式 1.2 外延层层错的结构 1.3 外延层层错的腐蚀形貌 1.3.1 外延层层错是面缺陷 1.3.2 腐蚀时在缺陷处体现优先腐蚀 1.4 几点说明 1.4.1 层错的腐蚀形貌并非一定是完整图形 1.4.2 层错的腐蚀形貌图形可能大小不一 1.4.3 不同器件制造对层错密度的要求 2 外延层层错产生的原因及对器件性能的影响 2.1 外延层层错产生原因 2.1.1 衬底的表面质量 2.1.2 外延用的气体纯度 2.1.3 外延工艺条件控制 2.1.4 外延系统的清洁度 2.2

光子学外延晶片行业调研及趋势

射频外延晶片行业调研及趋势

碳化硅外延行业调研及趋势分析报告摘要

硅集成电路工艺基础：第七章 外延.ppt

行业分类-设备装置-外延生长的具有垂直相界的铌酸钾钠-锆酸钡-钛酸铋钠无铅压电薄膜的制备方法.zip