华南理工大学 射频电路与天线23_混频器20101207，非常好的资料。

ISO1443射频卡协议是用于非接触式智能卡技术的标准，广泛应用于金融、交通、门禁等领域的集成电路（IC）卡。这个协议定义了卡片和读卡器之间的通信方式，确保数据的安全、可靠传输。以下是该协议的一些关键知识点： 1. **范围**：ISO1443标准主要涵盖了非接触式IC卡的技术规格，包括信号调制、数据编码、通信速率以及防冲突机制。它适用于接近式卡（PICC）和接近式耦合设备（PCD）之间的交互。 2. **参考资料**：理解ISO1443协议时，需要参考相关行业标准和国际标准，例如ISO/IEC 7816系列，这些标准提供了更广泛的卡片和读卡器接口规定。 3. **定义**： - **集成电路（IC）**：包含电子元件和电路的微型芯片，用于处理和存储数据。 - **无触点**：无需物理接触即可进行数据交换的技术。 - **无触点集成电路卡**：使用无线射频技术的智能卡。 - **接近式卡（PICC）**：用户携带的非接触式IC卡。 - **接近式耦合设备（PCD）**：读取或写入卡片信息的设备，如读卡器。 - **位持续时间**：数据传输中的一个比特的持续时间。 - **二进制移相键控（BPSK）**：一种数据调制技术，通过改变信号相位来传输信息。 - **调制指数**：衡量调制深度的比例，影响信号质量。 - **不归零电平（NRZ-L）**：一种数字信号编码方式，其中逻辑1和逻辑0表示不同的电压水平。 - **副载波**：在主信号上叠加的辅助频率，用于数据传输。 - **防冲突环**：防止多张卡片同时响应读卡器的机制。 - **比特冲突检测协议**：用于检测和解决多个卡片同时发送数据导致的冲突问题。 - **字节**：由8个比特组成的数据单位。 4. **通信过程**：ISO1443协议中，PCD向PICC发送命令，PICC解析命令后做出相应，这通常涉及能量传输、身份验证、数据交换等步骤。通信过程中使用了防冲突算法，以避免多卡环境下的数据混乱。 5. **安全特性**：ISO1443协议支持多种安全措施，如加密、认证和防篡改机制，确保交易的安全性。 6. **数据编码与传输**：采用BPSK调制，数据以NRZ-L编码方式进行，利用副载波进行调幅，以实现无线通信。调制指数控制信号质量，确保数据在不同环境下可靠传输。 ISO1443射频卡协议是无接触式智能卡通信的核心，它规范了卡片和读卡器的通信流程，保证了数据的高效、安全交换。理解和掌握这一协议对于开发和维护相关系统至关重要。

村田（Murata）电容与电感简介 1. 公司概述 村田制作所（Murata Manufacturing Co., Ltd.） 是全球领先的电子元器件制造商，总部位于日本，主要生产 陶瓷电容器、电感器、滤波器、射频元件 等，广泛应用于消费电子、通信、汽车电子及工业领域。 2. 村田电容（Murata Capacitors） 村田的电容产品以 高可靠性、小型化、高性能 著称，主要包括以下几类： (1) 多层陶瓷电容器（MLCC，Multilayer Ceramic Capacitors） • 特点： • 高容量密度（从pF级到μF级）。 • 低ESR（等效串联电阻）、高频率特性。 • 适用于 高频滤波、去耦、信号耦合 等场景。 • 主要系列： • GRM系列（通用型MLCC，如GRM155、GRM188等）。 • GCM系列（汽车级MLCC，符合AEC-Q200标准）。 • LLC系列（低电感MLCC，适用于高频电路）。 (2) 其他类型电容 • 聚合物铝电解电容（POSCAP/SP-Cap）：高容量、低ESR，适用于电源滤波。 • 钽电容（Tantalum Capacitors）：高稳定性，用于精密电路。 • 超级电容（EDLC）：用于能量存储和备份电源。 3. 村田电感（Murata Inductors） 村田的电感产品涵盖 功率电感、高频电感、共模扼流圈 等，主要应用于 电源管理、EMI抑制、射频匹配 等场景。 (1) 功率电感（Power Inductors） • 特点： • 高电流承受能力（可达几十安培）。 • 低DCR（直流电阻），提高电源效率。 • 主要系列： • LQH系列（金属合金功率电感）。

SI4432介绍: Si4432是高度集成度单芯片无线ISM收发器件。其包括了发射机、接收机和射频收发器，让设计工程师可以有选择的设计利用里面的无线部分。Si4432提供了先进的无线功能，包括连续频率范围从240到930MHz和可调输出功率高达+20dBm。Si4432的高度集成降低了BOM，同时简化了整体设计。极低的接收灵敏度（-118dBm），加上业界领先的+20dBm输出功率，保证传输范围和穿透能力。内置天线多样化和支持调频。 典型应用连接示意图: 附件内容总体包括两部分: 官方提供的官方SI4432无线模块设计资料，包括SI4432BI电路+PCB源文件，用Mentor Graphics（PADS）软件打开，以及SI4432BI demo程序； 某网友本人对SI4432 B1版的设计，功率19.27dBm，配用10ppm的晶振，频率稳定性比较好，频率一致性很好。分享的资料包括SI4432 B1版电路、UTC-4432B1开发指南、si4432 程序等 仿真测试截图如下: SI4432 B1版电路截图: 官方UTC-Si4432B1无线模块电路截图: 官方SI4432B1版demo程序截图:

在当前无线通信技术飞速发展的背景下，射频功率放大器作为无线通信系统中发射信号的关键组件，其性能对于系统的整体效率、带宽和容量有着直接影响。尤其是在多载波技术和复杂调制方式下，信号的峰均比增加，给射频功率放大器在功率回退时的效率提升带来了挑战。因此，研究高效能的射频功率放大器成为了一大热点。 GaN（氮化镓）材料以其优异的电子性能成为制造第三代半导体功率晶体管的理想选择。这种材料具备高电子迁移率、高击穿电压和良好的热导性，使得基于GaN的功率放大器能够在高温、高频率和大功率条件下工作，同时实现高效率和高可靠性。 Doherty功率放大器是一种用于提高射频功率放大器效率的技术。该技术通过将主放大器和辅助放大器按一定比例分割，使得在不同的功率级别下，一个或两个放大器工作，从而在不同的信号功率水平下维持放大器的高效率。Doherty技术的一个关键优势是在功率回退时仍然能保持较高的工作效率，这对于提高无线基站等设备的能效至关重要。 在论文中提到，研究者们以GaN材料为基础，设计和实现了基于传统结构和复合左右手传输线结构的Doherty射频功率放大器。传统结构的Doherty放大器在某些功率水平下能实现较高的漏极效率，但其线性度可能不够理想。为了改善这一状况，研究者们引入了不等分结构，设计了复合左右手传输线功率放大器，旨在提高线性度的同时，维持高效率。 在设计要点方面，论文涉及了射频功率放大器的理论模型、主要技术指标、效率提升技术、材料功率晶体管的介绍以及功率放大器的发展趋势。对于传统结构和复合左右手传输线结构的放大器，研究者们进行了静态工作点的选择、稳定性分析、负载阻抗及源阻抗设计、阻抗匹配和偏置网络设计等。此外，单管串联微带线非枝节匹配电路的实现不仅简化了功放结构，还减小了最终实物尺寸，并且实现了单管免调试的设计目标。 论文还提到了对不等分传统结构功率放大器和复合左右手传输线结构功率放大器的测试结果和性能指标进行的对比与分析。结果表明，基于复合左右手传输线结构的功率放大器在保持高效率的同时，还能提升线性度。这使得这种功率放大器具有高性能、低成本、低复杂度和高线性的优势，应用前景十分广阔。 在射频功率放大器设计中，重要的技术指标包括效率、三阶互调系数、邻信道功率泄露比等。这些指标直接影响到放大器的性能和应用。在设计过程中，研究者们还需考虑功放模块的工作状态、偏置点的选择、电源扼流的稳定性以及阻抗匹配等问题。 通过研究者们的努力，最终设计实现的两种类型功率放大器均表现出良好的性能。特别是基于复合左右手传输线结构的功率放大器，它在维持较高效率的同时提升了线性度，满足了在高带宽、高效率和高容量无线通信系统中的应用需求。这也预示着这类新型功率放大器在未来的通信设备中将具有广泛的应用前景。

随着移动通信技术的发展，射频(RF)电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器(VCO),是实现RF CMOS集成收发机的关键。过去的VCO电路大多采用反向偏压的变容二极管作为压控器件，然而在用实际工艺实现电路时，会发现变容二极管的品质因数通常都很小，这将影响到电路的性能。于是，人们便尝试采用其它可以用CMOS工艺实现的器件来代替一般的变容二极管，MOS变容管便应运而生了。 【新型MOS变容管的射频振荡器设计】是现代移动通信技术中的关键环节，因为射频（RF）电路对于实现高效的RF CMOS集成收发机至关重要。传统的压控振荡器（VCO）通常依赖于反向偏压的变容二极管作为压控元件，但这种二极管的品质因数低，限制了电路性能。为了解决这个问题，研究者们发展了MOS变容管。 MOS变容管是通过将MOS晶体管的漏极、源极和衬底短接形成的一种新型电容，其电容值能够根据栅极与衬底之间的电压VBG变化而改变。在PMOS电容中，当VBG大于阈值电压绝对值时，电容工作在强反型区域，而在VG大于衬底电压VB时，电容工作在积累区。在这个过程中，栅氧化层与半导体之间的界面电压为正，允许电子自由移动，导致电容值增大。在不同的工作区域内，电容值会有变化，这主要由耗尽区域电容Cb和界面电容Ci共同决定。 在设计中，有两种主要类型的MOS变容管：反型和积累型。反型MOS变容管工作在强、中和弱反型区，不进入积累区，因此具有较宽的调谐范围。而积累型MOS变容管通过抑制空穴注入，仅工作在耗尽区和积累区，这提供了更大的调谐范围和更低的寄生电阻，从而提高品质因数。积累型MOS变容管的制作可以通过去除漏源结的p掺杂，用n掺杂衬底接触来实现，这降低了寄生电阻且无需额外的工艺流程。 在VCO的电路设计中，通常采用对称CMOS结构，以减少振荡时电位变化对变容管电容值的影响，提高频谱纯度。电感需要与变容管匹配，并且使用大型的片内集成电感和积累型MOS变容管组成的LC振荡回路，尽管损耗较高，但通过增大负跨导可以维持振荡。为了保证起振和等幅振荡，耦合晶体管需要较大的宽长比，但这也带来了更大的寄生效应。设计通常基于特定的半导体工艺，例如TSMC的0.35μm锗硅射频工艺模型PDK，使用三层金属构造平面螺旋八边形电感。 在实际应用中，VCO的振荡频率取决于选取的电感值和变容管的电容调谐范围。通过优化这些参数，可以设计出满足特定需求的高性能射频振荡器，服务于现代通信系统。

引言 随着移动通信技术的发展，射频(RF)电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器(VCO)，是实现RF CMOS集成收发机的关键。过去的VCO电路大多采用反向偏压的变容二极管作为压控器件，然而在用实际工艺实现电路时，会发现变容二极管的品质因数通常都很小，这将影响到电路的性能。于是，人们便尝试采用其它可以用CMOS工艺实现的器件来代替一般的变容二极管，MOS变容管便应运而生了。 MOS变容管 将MOS晶体管的漏，源和衬底短接便可成为一个简单的MOS电容，其电容值随栅极与衬底之间的电压VBG变化而变化。在PMOS电容中，反型载流子沟道在VBG大于阈值电压绝对值时建立， 射频识别技术（RFID）在现代通信领域中扮演着重要的角色，而射频压控振荡器（VCO）是RFID系统的核心组件之一。VCO的主要功能是产生可调频率的射频信号，其性能直接影响RFID系统的稳定性和效率。在RFID技术中的VCO设计中，传统上常使用反向偏压的变容二极管作为压控元件，但由于实际工艺限制，变容二极管的品质因数低，导致电路性能受到影响。 为解决这一问题，人们开始探索使用CMOS工艺实现的替代器件，MOS变容管应运而生。MOS变容管是通过将MOS晶体管的漏极、源极和衬底短接，形成一个电容，其电容值可以根据栅极与衬底间的电压VBG的变化而改变。在PMOS变容管中，当VBG超过阈值电压的绝对值时，反型载流子沟道建立，从而改变电容值。当VBG远大于阈值电压时，PMOS工作在强反型区域，此时电容值接近氧化层电容Cox。 MOS变容管的工作状态包括强反型区、中反型区、弱反型区、耗尽区和积累区。在积累区，当栅电压VG大于衬底电压VB时，电容工作在正电压下，允许电子自由移动，电容值相应增大。在不同的工作区域内，电容值和沟道电阻都会发生变化，影响VCO的性能。 为了获得单调的调谐特性，有两种策略可以采用。一是避免MOS晶体管进入积累区，通常通过将衬底与电源电压Vdd短接来实现。另一种方法是使用只在耗尽区和积累区工作的MOS器件，以获得更宽的调谐范围和更低的寄生电阻，从而提高品质因数。积累型MOS变容管通过消除空穴注入沟道来实现，这可以通过移除漏源结的p+掺杂并添加n+掺杂的衬底接触来达成。 在设计VCO电路时，采用对称CMOS结构可以减小电位变化对变容管电容值的影响，提高频谱纯度。电感的匹配也很关键，通常采用双电感对称连接。由于集成电感和MOS变容管的损耗，需要较大的负跨导来维持振荡，确保等效负跨导的绝对值大于维持等幅振荡所需的跨导。 基于积累型MOS变容管的射频压控振荡器设计是RFID技术中提高性能和效率的一种创新方法。它利用CMOS工艺的优势，解决了传统变容二极管的局限性，为RFID系统提供了更优的射频信号源。通过精细的设计和仿真，可以优化VCO性能，提升整个RFID系统的可靠性和效率。

内容概要：本文档详细介绍了基于MTK7628方案的射频定频测试流程。首先阐述了测试前的准备工作，包括设备连接方式（POE供电、电脑网卡连接）和设备进入定频测试模式的方法（SSH或串口登录并执行“ated”指令）。接着重点描述了使用QA工具进行射频发射功率测试的具体步骤，针对B模式、G模式、N模式20M和N模式40M四种模式分别说明了QA工具和IQxel的设置方法及操作流程，确保每一步骤清晰明了，便于学习和认证测试使用。; 适合人群：从事无线网络设备研发、测试的技术人员，尤其是对MTK7628芯片有一定了解的基础用户。; 使用场景及目标：①帮助技术人员掌握MTK7628射频定频测试的操作流程；②为产品的射频性能评估提供标准化测试方法，确保符合相关标准。; 阅读建议：文档内容较为专业，建议读者在实际操作过程中对照文档逐步进行，同时注意文档中提到的注意事项和备注信息，以便顺利完成测试任务。对于不熟悉的命令或工具，可提前查阅相关资料。

在很多场合有线通信技术并不能满足实际需要，比如在野外恶劣环境中作业。使用无线射频通信芯片构建的通信模块，用单片机作为控制部件，配合一定的外围电路就能很好地进行两地空间区域信号对接，实现自由数据通信，解决了无线通信的技术难题。并且其具有硬件构造简单、维护方便、通信速率高、性能稳定等优点，能在电子通信业得到广泛应用。　　本文的控制部件选用AT89C51型单片机。由于这种芯片只有SPI通信接口，而目前常用的单片机都没有这种接口，因此需要对该芯片的通信时序进行模拟，所以在控制器里编程时要严格按照芯片工作时序进行。　　电路原理　　NRF24L01芯片构成的通信模块电路设计　　NRF24L01芯片通信模块

"关于超宽带射频功放的同轴线巴伦匹配" 同轴线巴伦是一种常用的宽带匹配技术，在超宽带射频功放设计中扮演着非常重要的角色。下面我们将对同轴线巴伦的原理、优缺点、选择标准、应用实例等进行详细的介绍。 一、同轴线巴伦原理 同轴线巴伦通过同轴线之间不同的绕组方式达到不同的变换效果。它可以实现阻抗变换、平衡—不平衡转换、相位翻转等多种功能。在低频端，由于同轴线的电抗分路损耗造成变换比例下降，使得同轴线巴伦的低频响应特性不佳，但磁芯的补偿可以解决这个问题。 二、同轴线巴伦的优缺点 同轴线巴伦拥有超宽带的工作频带范围，在宽带匹配中有着非常重要的作用。但同时，同轴线巴伦也有着以下的缺点：占用空间大、大部分时候需要手动绕制、一致性不够高、电路较为复杂。 三、同轴线巴伦磁芯选择 同轴线巴伦的磁芯选择是非常重要的，需要选择合适的铁氧体磁芯以补偿低频响应特性的下降。磁芯的影响可以用等效电感来反应，等效电感决定了低频段反射量的大小。 四、同轴线选择 在选择同轴线巴伦的同轴线时，需要考虑特性阻抗、长度、材质、功率容量等几个方面。特性阻抗应该是输入、输出阻抗的几何平均值，长度需要注意避免主模谐振、引入过多寄生参数的考虑，材质需要考虑机械性能，功率容量需要根据实际情况选择合适的电缆。 五、应用实例 同轴线巴伦在超宽带射频功放设计中有着非常广泛的应用，如 BLF645 的 demo 板半成品就是使用了同轴线巴伦进行平衡不平衡之间的转换和阻抗变换。 同轴线巴伦是一种非常重要的宽带匹配技术，在超宽带射频功放设计中扮演着非常重要的角色。通过选择合适的同轴线、磁芯和设计电路，同轴线巴伦可以实现宽带匹配，提高射频功放的性能。 在实际应用中，同轴线巴伦的设计需要考虑到多种因素，如频率范围、功率容量、空间占用等。通过合理的设计和选择，同轴线巴伦可以发挥出它的最大价值，提高射频功放的性能和可靠性。