死区补偿与谐波抑制：基于6次谐波抑制的PIR控制器离散仿真方法研究与实践,基于谐波补偿的死区抑制：高效离散仿真下的PI-R控制器协同设计,死区补偿方法-6次谐波抑制PIR控制器离散仿真 死区补偿常见方法中用梯形波补偿，矩形波补偿死区，需要判断电流向，还需要相对精确知道死区时间。 谐波补偿方法不需要处理上述的问题，简单有效。 包含: （1）1.5延时补偿 （2）带相位补偿的双线性离散化实现R控制 ,死区补偿方法;6次谐波抑制;PIR控制器;离散仿真;梯形波补偿;矩形波补偿;死区时间判断;电流换向;谐波补偿方法,死区补偿与谐波抑制：PIR控制器6次谐波离散仿真方法

放大器共模抑制比（Common-Mode Rejection Ratio，简称CMRR）是评估差分放大器性能的重要参数之一，它描述了放大器对于共模信号的抑制能力。在理想情况下，放大器应只放大两个输入端之间的差模信号，而完全忽略共模信号。但在实际应用中，放大器会同时放大差模和共模信号，共模抑制比即为差模增益与共模增益的比值。共模抑制比越高，表示放大器抗共模干扰的能力越强。 共模抑制比的测量通常比测量放大器的失调电压、偏置电流更为复杂。在放大器设计和测试过程中，工程师经常使用不同的电路和方法来测量CMRR。文中提到了四种测量共模抑制比的方法：直接定义测量法、匹配信号源法、电压测量法和匹配电阻法。每种方法都有其适用场景和潜在的不足。 直接定义测量法是通过测量差模增益和共模增益来计算CMRR，但由于电路中使用电感和电容组成的低通滤波器，这在CMOS放大器电路中常常使用高阻值电阻代替电感，可能会在反馈电阻上产生较大的直流偏移，从而影响测量结果。 匹配信号源法是利用两个信号源对放大器的同相和反相输入端进行激励，通过差模增益和共模增益的比值来确定CMRR。这种方法的缺点在于很难实现两个信号源幅值和相位的绝对匹配，从而导致测量结果无法准确反映放大器的真实性能。 电压测量法通过改变放大器供电电压的绝对值来模拟共模电压的变化，然后测量输出电压变化来计算CMRR。但是，这种方法忽略了一些其他因素的影响，如电源抑制比（Power Supply Rejection Ratio，PSRR），从而可能使结果失去其意义。 匹配电阻法需要使用高精度的电阻进行匹配，尤其在测量CMRR较高的放大器时，对电阻的精度要求更高，1ppm误差的电阻可能难以获得，这使得方法的可操作性受限。 文中提出了使用辅助运算放大器（辅助运放）结合电源法的测量方法，该方法不需要高精度的匹配电阻即可进行有效的CMRR测量。通过在电路中添加辅助放大器并配合开关控制，能够提供准确的共模电压，并通过测量开关切换前后的输出电压变化来计算CMRR。仿真结果表明，使用辅助运放-电源法测量的CMRR结果与数据手册中的典型值非常接近，验证了该方法的有效性。 在实际的放大器设计和测试中，正确理解和选择合适的测量方法对于准确评估放大器性能至关重要。共模抑制比是差分放大器设计中的一个关键指标，其测量结果直接影响到电路的性能评估和可靠性分析。通过对比不同测量方法的优缺点，可以更有效地进行放大器的性能测试，从而为电路设计和应用提供可靠的数据支持。

汇川 is620n,is620p,is620伺服驱动电机，源 码原理 图 高性能小功率的交流伺服驱动器，采用RS-232,RS485通讯接口，另有CAN通讯接口，提供了刚性表设置，惯量识别及振动抑制功能。 汇川科技作为自动化领域的知名企业，在伺服驱动电机领域拥有丰富的技术和产品积累。此次提供的汇川is620n, is620p, is620系列伺服驱动电机，是针对小功率应用场合的高性能交流伺服驱动器。这些驱动器不仅在性能上表现出色，而且在设计上也注重了用户使用的便捷性与系统的稳定性。 该系列伺服驱动器采用的RS-232和RS485通讯接口，是工业界广泛使用的标准接口，它们能够保证数据的准确传输与设备的可靠连接。同时，支持CAN通讯接口的特性，让伺服驱动器在复杂的工业环境中，能够轻松实现设备之间的高速、高可靠性数据交换。 在功能上，汇川is620系列伺服驱动器提供了刚性表设置功能，这对于精确控制机械系统的动态响应至关重要。通过刚性表设置，可以优化机械系统的响应速度和精度，从而提高整个系统的控制性能。此外，惯量识别功能使伺服驱动器能够识别并补偿负载惯量的变化，这对于提升系统的动态性能和控制精度有着直接的帮助。振动抑制功能则是通过先进的控制算法来减少或消除机械振动，这对于提高生产效率、保证加工质量具有重要意义。 汇川伺服驱动电机的这些功能，不仅确保了设备能够更加精准地控制机械运动，还能有效延长设备的使用寿命，降低维护成本。这些特点使得汇川is620系列伺服驱动器在需要高精度、高稳定性的工业自动化领域，如机械加工、电子组装、精密定位等应用中具有很高的竞争力。 文档部分，包括了技术分析和源码原理图等相关资料，这些资料对于理解汇川is620系列伺服驱动器的工作原理和控制机制至关重要。技术分析文档深入探讨了汇川伺服驱动电机的工作特性、技术优势以及应用场景，为工程师们提供了一个全面了解产品的窗口。源码原理图文档则为技术人员提供了编程和调试时的参考，有助于在实际应用中更有效地开发和优化控制系统。 在实际应用中，汇川伺服驱动电机系列产品的优良性能表现，得到了广泛的好评。作为国产伺服驱动器的代表，汇川的这些产品不仅在国内市场有着较高的市场份额，而且在国际市场上也展现出竞争力，成为自动化设备制造商和终端用户信赖的选择。 汇川is620系列伺服驱动器的文件资料和图片，为用户和开发者提供了丰富的学习和参考资源。这些资料的共享，是汇川公司支持行业发展的体现，同时也展示了其在伺服驱动技术上的开放态度和技术创新能力。通过这些资料的深入研究，相关技术人员可以更加深入地理解汇川产品的技术细节，并在实际应用中发挥出更大的效能。

1. 简介 如下所示给出了基于P-MOSFET的四种浪涌电流抑制方案： 图5.78 Single P-MOSFET负载开关电路方案A 图 5.80 Single P-MOSFET负载开关电路方案B 图 5.81 Single P-MOSFET负载开关电路方案C 图 5.82 Single P-MOSFET负载开关电路方案D 后来经过自己的study以及工程师朋友的讨论，方案B和D应用于浪涌电流抑制，有所不妥；主要原因是：在VIN上电的瞬间且Q2/Q4完全导通之前，给输出电容C9/C10/C19/C20充电的浪涌电流会“部分”或“完全”从体二极管流过。 也许有人会问，这样的电路是否会存在P-MOSFET因上电瞬间的浪涌电流而损坏的可能？答案是，在合适选择了P-MOSFET连续漏源电流的情况下，通常不会导致管子损坏。这点，我们后续文章再单独分析。 2. 更新方案 PNP三极管适合做“高边开关”，NPN三极管适合做“低边开关”，这是由它们的结构或导通关断特性决定的。类似的结论是，P-MOSFET适合做“高边开关”，N-MOSFET适合做“低边开关”（如同步BUCK电路的low-side s ### 使用N-MOSFET实现浪涌电流抑制 #### 一、引言及问题背景 在电子设备的设计过程中，为了确保系统的稳定性和可靠性，浪涌电流的抑制变得尤为重要。浪涌电流是指在电源开启瞬间或者负载突然变化时，短时间内通过电源的电流峰值远高于正常工作电流的现象。如果不加以控制，这种瞬态大电流可能会对电源系统造成损害，降低设备的使用寿命，甚至导致故障。因此，选择合适的浪涌电流抑制方法对于提高电子产品的可靠性和稳定性至关重要。 #### 二、基于P-MOSFET的浪涌电流抑制方案及其问题 根据描述，提出了四种基于P-MOSFET的浪涌电流抑制方案（图5.78、图5.80、图5.81、图5.82），其中方案B和D在实际应用中存在一定的问题。主要问题在于，在电源VIN上电的瞬间，且MOSFET尚未完全导通之前，输出电容的充电过程会导致一部分或全部的浪涌电流通过体二极管进行分流。这种现象虽然通常不会导致P-MOSFET损坏（前提是在选择MOSFET时考虑了其连续漏源电流能力），但仍然可能对电路的整体性能产生不利影响。 #### 三、N-MOSFET作为浪涌电流抑制方案的优势 N-MOSFET在电路设计中具有显著优势，尤其是在浪涌电流抑制方面。与P-MOSFET相比，N-MOSFET更适合用作“低边开关”，即放置在电源线的负极位置。这一特性使得N-MOSFET在某些应用中成为更优的选择。以下是两种基于N-MOSFET的更新方案： 1. **方案E**：适用于VCC电源范围不超过Vgs的应用场景。该方案能够有效地控制浪涌电流，同时保持电路的稳定运行。 2. **方案F**：适用于VCC电源范围超过Vgs的应用场景。通过在电容C18上并联电阻R6，并与电阻R5组成分压电路，确保了MOSFET栅极-源极电压不会超出其Vgs范围，从而避免了由于过压导致的器件损坏。 #### 四、分压电阻的计算与应用 针对方案C（图5.81）中提到的分压电阻的计算，当输入电源VIN大于AON6403元件的栅极和源极耐压值±20V时，可通过增加电阻R3来调整栅极电压，使得栅极和源极之间的电压差保持在安全范围内。例如，当VIN=60V时，栅极和源极之间的电压差为5.45V；当VIN=100V时，电压差为9.09V。这两个数值均在±20V的安全范围内，因此无需担心元件损坏的问题。 #### 五、总结 通过对不同方案的比较和分析，可以得出以下结论： - 在基于P-MOSFET的浪涌电流抑制方案中，方案B和D在实际应用中存在一定的局限性，尤其是在处理浪涌电流时，体二极管的存在可能导致电流分流，影响整体性能。 - N-MOSFET作为“低边开关”的特性使其在某些应用场景下成为更佳选择。方案E和F展示了如何利用N-MOSFET有效抑制浪涌电流，同时确保电路的稳定性和安全性。 - 在设计电路时，合理选择分压电阻值对于防止过压情况的发生至关重要。通过适当的计算，可以在保证电路性能的同时，避免元件损坏的风险。 无论是基于P-MOSFET还是N-MOSFET的浪涌电流抑制方案，都需要根据具体的应用需求来选择最合适的解决方案。

基于模块化多电平换流器(MMC)的离网逆变工况双闭环定交流电压仿真模型研究：应用NLM调制与二倍频环流抑制策略的电压均衡控制,基于模块化多电平换流器(MMC)的离网逆变工况双闭环定交流电压仿真模型及优化策略研究：从控制方法到应用效果验证分析,模块化多电平流器（MMC）双闭环定交流电压仿真模型，离网逆变工况，交流电压外环，电流内环控制。 最近电平逼近(NLM)调制，二倍频环流抑制，排序法子模块电压均衡。 子模块数量18个，直流侧母线电压36KV，交流侧相电压最大值18kV，额定功率30MW，控制效果良好。 联系即可发出，matlab版本可降，默认版本为2022a。 主页所有模型均为，请认准 模块化多电平流器(MMC)。 整流器。 PI控制。 双闭环。 ,1. 模块化多电平换流器(MMC); 2. 双闭环定交流电压仿真模型; 3. 离网逆变工况; 4. 交流电压外环; 5. 电流内环控制; 6. 最近电平逼近(NLM)调制; 7. 二倍频环流抑制; 8. 排序法子模块电压均衡; 9. 子模块数量; 10. 直流侧母线电压; 11. 交流侧相电压最大值; 12. 额定功率; 13. 控制效果

"基于Heric拓扑的逆变器离网并网仿真模型：支持非单位功率因数负载与功率因数调节，共模电流抑制能力突出，采用PR单环控制与SogiPLL锁相环技术，LCL滤波器，适用于Plecs 4.7.3及以上版本",#Heric拓扑并离网仿真模型（plecs） 逆变器拓扑为：heric拓扑。 仿真说明： 1.离网时支持非单位功率因数负载。 2.并网时支持功率因数调节。 3.具有共模电流抑制能力（共模电压稳定在Udc 2）。 此外，采用PR单环控制，具有sogipll锁相环，lcl滤波器。 注：（V0004） Plecs版本4.7.3及以上 ,Heric拓扑; 离网仿真; 并网仿真; 非单位功率因数负载; 功率因数调节; 共模电流抑制; 共模电压稳定; PR单环控制; SOGIPLL锁相环; LCL滤波器; Plecs版本4.7.3以上。,"Heric拓扑：离网并网仿真模型，支持非单位功率因数与共模电流抑制"

内容概要：本文探讨了模块化多电平变换器（MMC）在低频工况下子模块电容电压波动的问题，并提出了一种有效的解决方法——高频正弦注入。文中详细介绍了在MATLAB 2021b环境下进行仿真的具体步骤，包括构建MMC模型、加入高频正弦分量以及优化控制策略。通过实验验证，高频正弦注入能够显著降低电容电压波动幅度，提高系统稳定性。此外，还讨论了不同的注入方式如双正弦波、双方波及混合注入对性能的影响，并提出了自适应调整注入类型的策略。 适合人群：电力电子工程师、科研工作者、高校师生等对MMC及其低频工况特性感兴趣的读者。 使用场景及目标：适用于需要理解和解决MMC在低频工况下电容电压波动问题的研究项目和技术开发。目标是掌握高频正弦注入的方法论，能够在实际工程中应用并优化MMC系统的性能。 阅读建议：建议读者熟悉基本的电力电子理论和MATLAB/Simulink仿真工具，以便更好地理解文中的技术细节和实现过程。同时，关注文中提供的具体参数设置和实验结果，有助于加深对高频正弦注入机制的理解。

非奇异滑模控制技术：TSMC、NTSMC、FTSMC与NFTSMC的加速特性与抖动抑制效果对比研究,非奇异滑模控制：TSMC、NTSMC、FTSMC与NFTSMC的加速趋近特性与抖动抑制效果比较研究,非奇异快速终端滑模控制 包含:TSMC、NTSMC、FTSMC、NFTSMC等滑模控制方法，对比了趋近率的加速特性，渐近性质和抖动抑制效果 ,非奇异快速终端滑模控制（非奇异滑模、快速终端滑模）; TSMC、NTSMC、FTSMC、NFTSMC; 趋近率加速特性; 渐近性质; 抖动抑制效果,非奇异快速与渐近滑模控制方法对比研究

本仿真对DAB变换器的状态切换过程的暂态直流偏置抑制策略进行了仿真，成功实现状态切换过程的暂态直流偏置进行抑制。

基于7段式SVPWM算法的永磁同步电机谐波注入抑制技术研究——电流环速度环仿真模型与实践验证,《基于七段式SVPWM算法的永磁同步电机谐波注入抑制技术研究与仿真验证》,#永磁同步电机#谐波注入抑制算法#电流环速度环仿真模型。 #7段氏svpwm算法。 基于模型的永磁同步电机谐波注入抑制算法研究。 以上所有资料均为博主亲力而为，包括模型搭建，lunwenword和pdf撰写（公式理论推导详细），最后有台架上电机加入算法前后验证，验证了算法在工程上的实用性。 ,关键词： 1. 永磁同步电机 2. 谐波注入抑制算法 3. 电流环速度环仿真模型 4. 7段氏SVPWM算法 5. 模型搭建 6. 理论推导 7. 工程实用性验证,基于7段SVPWM算法的永磁同步电机电流环速度环仿真研究