《LVDS接口EMC设计标准电路》是深圳市科普伦科技有限公司提供的一份技术文档，主要关注LVDS（Low Voltage Differential Signaling）接口的电磁兼容（EMC）设计。LVDS接口因其低电压差分信号传输特性，广泛应用于高速数据传输领域，如显示设备、通信设备等。在EMC设计中，确保电路的稳定性、抗干扰能力和符合相关法规标准至关重要。 1. **共模电感（Common Mode Choke）**： 共模电感在LVDS接口设计中起到关键作用，它用于抑制共模噪声，即流过两条信号线的相同方向的电流产生的噪声。文档中提到的C1921n和C191100n等电容与L2CM2-2012MCIN-900T、L3CM2-2012MCIN-900T、L4CM2-2012MCIN-900T等共模电感一起工作，形成滤波网络，以降低电磁辐射和提高信号完整性。 2. **电容配置**： C1921n和C191100n等电容可能用于电源去耦和信号滤波。在LVDS接口设计中，电容的选取和布局对于抑制噪声和保持信号稳定至关重要。电容可以吸收电路中的瞬态电流，防止电压波动影响系统性能。 3. **接口连接器（LCD Connector）**： 文档中提到的LCD CONNECTOR是连接LVDS信号到液晶显示器的接口，它的设计必须考虑信号的完整性，确保高速数据传输不受干扰。连接器的选择和布局对整个系统的EMC性能有很大影响。 4. **LVDS信号线对**： LVDS_Y1P、LVDS_Y1M、LVDS_Y0P、LVDS_CLKOUTM、LVDS_Y2M、LVDS_Y0M、LVDS_Y2P和LVDS_CLKOUTP等表示LVDS接口的不同信号线对。这些线对通常采用差分信号传输，能够有效降低电磁辐射，增强抗干扰能力。 5. **电源和接地**： 电源的稳定性和良好的接地设计是LVDS接口EMC设计的重要部分。合理的电源分配和接地策略可以减少噪声引入，提高系统的EMC性能。 6. **元件选型和测试**： 文件中提到可以根据实际测试情况调整共模电感的参数，这表明在设计过程中，需要根据系统的需求和环境条件进行实际测试，选择合适的元器件并优化其参数，以满足EMC标准。 7. **联系方式**： 如果需要获取上述方案中使用的器件样品或进一步的技术支持，可以通过文档提供的联系人信息，如移动电话、电话、传真和邮箱，与深圳市科普伦科技有限公司取得联系。 《LVDS接口EMC设计标准电路》涵盖了LVDS接口设计的关键要素，包括共模电感、电容配置、接口连接器、信号线对、电源和接地策略等，并强调了实际测试和元件选型的重要性。理解并遵循这些设计原则，能有效提升LVDS接口设备的EMC性能，确保其在复杂电磁环境中稳定工作。

DC24V接口EMC设计标准电路

产品EMC设计标准电路参考，内含48个EMC抗干扰电路，包括串口、网口、显示接口、通信接口等等，值得学习下。

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3.1 标准应用电路 47R 47R LS VCC_IO TMC5160 SPI interface CSN SCK SDO SDI reference switch processing R E F L /S T E P R E F R /D IR DIAG / INT out and Single wire interface 5V Voltage regulator charge pump 22n 100V 100n 16V DIAG0/SWN CLK_IN DIAG1/SWP +VM 5VOUT VSA 2.2µ +VIO D R V _ E N N G N D D G N D A T S T _ M O D E D IE P A D VCC opt. ext. clock 12-16MHz 3.3V or 5V I/O voltage 100n 100n Controller LS stepper motor N S BMA2 Chopper 100n SRAH CE Optional use lower voltage down to 12V 2R2 470n Use low inductivity SMD type, e.g. 1210 or 2512 resistor for RS! Encoder unit A B N E N C B _ D C E N E N C A _ D C IN E N C N _ D C O Encoder input / dcStep control in S/D mode S D _ M O D E S P I_ M O D E opt. driver enable B.Dwersteg, © TRINAMIC 2014 RS SRAL LA1 LA2 HA1 HA2 BMA1 HS HS CA1 CB CA2 CB +VM LS LS BMB2 SRBH RS SRBL LB1 LB2 HB1 HB2 BMB1 HS HS CB1 CB CB2 CB +VM Both GND: UART mode C P I C P O V C P V S 11.5V Voltage regulator 12VOUT 2.2µ mode selection Bootstrap capacitors CB: 220nF for MOSFETs with QG<20nC, 470nF for larger QG 470n 470n Keep inductivity of the fat interconnections as small as possible to avoid undershoot of BM <-5V! RG RG RG RG RG RG RG RG Slope control resistors RG: Adapt to MOSFET to yield slopes of roughly 100ns. Slope must be slower than bulk diode recovery time. 47R 47R +VIO pd pd pd +VIO 图 3.1 标准电路 标准路使用最少的外部器件。根据所需的电流、电压和封装类型选择八个 MOSFET。两个采样电阻 设置电机线圈电流。请参阅第 8 章选择正确的采样电阻。电源滤波选用低 ESR 电容。为获得最佳性能， 建议功率桥附近线圈电流的最小容量为 100μF /安培。电容需要吸收斩波器操作产生的电流纹波。电源电 容上的电流纹波也取决于电源内阻和电缆长度。VCC _ IO 可以从 5VOUT 或外部电源(例如 3.3V 调节器)提 供。在 VM 高的应用中为了降低内部 5V 和 11.5V 稳压器的线性稳压器功耗，VSA 应该使用不同(较低)的 电源电压(参见第 0 章)。 基本布线提示 将采样电阻和所有滤波电容尽可能靠近功率 MOSFETs。 TMC5160靠近MOSFETs放置，短线互连线， 以最小化寄生电感。所有的 GND、GNDA、 GNDD 及采样电阻 GND，使用一个公共地。5VOUT 滤波电容 直接连到 5VOUT 和 GNDA 引脚。有关详细信息，请参阅布局提示。VS 滤波推荐使用低 ESR 电解电容。

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