为了研究深亚微米 SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应，采用TCAD工具对0.13 μm SOI工艺 H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×108～1×1010 (Gy(Si)/s)的7个点，模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量率之间的数值关系。从模拟结果可以看出，γ剂量率在小于5×109 Gy(Si)/s的辐照时对器件影响很小。表明了该结构器件具有较强的抗瞬时剂量率辐射能力，为超大规模集成电路抗瞬时剂量率加固设计提供了依据。