这是Infineon公司的一篇技术文档（如有侵权，请联系删除），介绍了肖特基二极管进行射频功率检波的可行方案。因为之前的项目中一直采用芯片检波，价格昂贵，在寻找低成本的解决方案中看到了这份技术文档，亲测VHF和UHF频段实际可用，效果极好，如果你正在寻找低成本的射频功率检波方案，强烈推荐！ 在射频通信系统中，功率检波是自动增益控制或电平控制的关键技术之一。功率检波器通常用于监测信号强度，并用于反馈控制中以维持一定的信号水平。传统上，使用芯片进行射频功率检波较为普遍，然而这种方法成本较高。Infineon公司提出了一种使用肖特基二极管进行射频功率检波的方案，旨在解决这一问题。本文档详述了利用Infineon公司的低势垒肖特基二极管实现射频功率检测的电路设计。 肖特基二极管在射频和微波频段具有快速开关和低电容特性，使其成为进行射频功率检波的理想选择。Infineon的低势垒肖特基二极管特别适用于这类应用。文档中介绍的肖特基二极管包括BAT15-02EL、BAT62-02V、BAT63-02V等，分别适用于单二极管检波结构，以及BAT15-04W适用于双二极管检波结构。这些二极管在VHF和UHF频段的实际应用效果优秀，显著降低了设计和实施成本。 文档首先介绍了射频功率检测器的基本概念，随后着重阐述了Infineon RF肖特基二极管的技术特点和优势。接着，文档详细介绍了单二极管和双二极管检波电路的设计与构造。在单二极管检波电路部分，着重讲解了BAT62-02V、BAT63-02V以及BAT15-02EL这三种二极管的电路设计和应用。而在双二极管检波电路部分， BAT15-04W二极管的使用方法和电路构建成为了焦点。 文档还介绍了功率检测器在自动增益控制或电平控制中的应用，强调了使用Infineon肖特基二极管所构建的检波器结构在实现射频功率监测方面的重要性和实用性。此技术文档的受众为需要设计射频功率检测电路的工程师，它为读者提供了全面的设计参考，帮助他们降低设计成本，并优化性能。 通过Infineon公司的这一技术方案，工程师可以在不同的项目中灵活使用肖特基二极管来实现射频功率检波。这种方法不仅成本低，而且在实验中已被证实有效，因此对于寻求经济高效射频功率检测方案的工程师来说，这是一份宝贵的资源。

在当前微电子学和半导体物理学领域中，氮化镓（GaN）肖特基二极管作为重要的电子器件，因其高频、高温、高功率特性而在电力电子、通信系统中得到广泛应用。氮化镓的材料特性包括宽禁带、高电子迁移率和高击穿电压，这些特性使得氮化镓肖特基二极管能够承受较大的反向电压，同时支持更快的开关速度，相较于传统的硅基器件，在很多应用场合具有显著的优势。 氮化镓肖特基二极管的制作工艺涉及复杂的物理过程和化学过程。在制备过程中，需要精确控制材料的生长、掺杂以及制造工艺，以保证二极管的性能符合设计要求。由于其材料特性，氮化镓肖特基二极管通常用于射频功率放大器、电源转换器、激光二极管等高端电子设备中。 silvaco仿真是一种应用广泛的器件建模与仿真软件，它为工程师和研究人员提供了一个强大的平台，用于模拟半导体器件在不同工作条件下的电气特性。通过silvaco仿真，可以对氮化镓肖特基二极管的性能进行预测和优化，例如，通过设置不同的材料参数、结构设计以及工作条件，研究者可以评估器件的I-V特性、电容特性、热稳定性等，提前发现潜在的设计问题，减少实际制造和测试的成本与时间。 silvaco仿真软件主要包含多个模块，如Atlas器件模拟器和tcad工艺模拟器，通过这些模块，可以实现从物理过程到电子电路级的全范围模拟。在进行氮化镓肖特基二极管仿真时，需要正确设置器件模型的物理参数，如载流子浓度、迁移率、禁带宽度、介电常数等，并且需要定义适当的边界条件和工作环境。 在仿真过程中，模型的精确度非常关键，因此，除了软件模拟外，仿真结果的准确性还需要依赖于高质量的实验数据。实验数据能够帮助验证和校准仿真模型，提高仿真结果的可靠性。通过反复的仿真与实验验证，可以逐步优化氮化镓肖特基二极管的设计，以达到最佳的器件性能。 在氮化镓肖特基二极管的应用中，研究者会关注其在各种电气条件下的行为，包括正向偏置下的导通状态、反向偏置下的截止状态以及在高温、高功率等极端条件下的性能表现。这些模拟与测试工作不仅有助于提升器件的稳定性与可靠性，还可以推动器件在新兴应用领域的探索，如电动汽车充电系统、太阳能逆变器等。 氮化镓肖特基二极管的研究与开发不仅是材料科学的突破，也是电力电子学和微电子学的重大进展。随着氮化镓材料制造技术的不断成熟，以及silvaco等仿真软件的持续更新，预计未来氮化镓肖特基二极管将在更多领域大放异彩，为人类社会带来深远的技术变革和经济影响。

基于ADS的肖特基二极管仿真 参考链接：https://blog.csdn.net/luohuo9844/article/details/134119659?spm=1001.2101.3001.6650.1&utm_medium=distribute.pc_relevant.none-task-blog-2%7Edefault%7EBlogCommendFromBaidu%7EPaidSort-1-134119659-blog-147118416.235%5Ev43%5Epc_blog_bottom_relevance_base6&depth_1-utm_source=distribute.pc_relevant.none-task-blog-2%7Edefault%7EBlogCommendFromBaidu%7EPaidSort-1-134119659-blog-147118416.235%5Ev43%5Epc_blog_bottom_relevance_base6&utm_relevant_index=1

开关电源开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新。目前，开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备，是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。开关电源产品广泛应用于工业自动化控制、军工设备、科研设备、LED照明、工控设备、通讯设备、电力设备、仪器仪表、医疗设备、半导体制冷制热、空气净化器，电子冰箱，液晶显示器，LED灯具，通讯设备，视听产品，安防监控，LED灯带，电脑机箱，数码产品和仪器类等领

1200V碳化硅肖特基二极管是固锝电子新推出的第三代SiC肖特基二极管。 可以实现超低的反向恢复时间，优越的高温反向漏电流，优化提升开关损耗，很好的提高了电动汽车、混合动力汽车、通信、工业和商用等电源类产品的使用效率。

此文件的内容为肖特基二极管SBD的silvaco仿真代码，器件中设置了场线环结构，可增大器件的击穿电压。

肖特基二极管以发明人肖特基博士（Schottky）命名。　　（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写。　　不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。　　肖特基的两个主要特点，一个是正向导通压降比较低，一般在0.15~0.5V之间，导通压降低可以提高系统的效率。　　另一个特点是反向恢复时间短，一般在几个纳秒。　　所以肖特基二极管一般用作高频、大电流整流、低压、续流二极管、保护二极管等。　　二极管从正向导通到反向截止有一个反向恢复的过程，而不是立即由导通到截止。　　对上述的肖特基二极管上加电压。　　在0-t1时间内，给二极

退火温度对Au/Hg3In2Te6肖特基势垒高度的影响，王一义，孙颉，采用真空蒸镀法在n型Hg3In2Te6表面分别制备了Au和In电极，探讨了氮气气氛下快速退火对Au/Hg3In2Te6肖特基势垒高度的影响规律。通过I-V和C-V�

肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。 　　肖特基势垒指具有大的势垒高度（也就是ΦBn 或者 ΦBp >> kT）,以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触（施敏, 半导体器件物理与工艺, 第二版, 7.1.2）。 　　肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。 　　金属与n型半导体形成的肖特基势垒如图1所示。金属—半导体作为一个整体在热平衡时有同样费米能级。肖特基势垒相较于PN界面的区别在于具有较低的界面电压，以及在金属

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，是肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,缩写成SBD)的简称。 　　肖特基二极管原理及结构 　　和其他的二极管比起来，肖特基二极管有什么特别的呢？ 　　SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 　　典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2