本文介绍了超高频接收系统射频前端电路的芯片设计。从噪声匹配、线性度、阻抗匹配以及增益等方面详细讨论了集成低噪声放大器和下变频混频器的设计。电路采用硅基0.8 Lm B iCMO S 工艺实现, 经过测试, 射频前端的增益约为18 dB, 双边带噪声系数2. 5 dB, IIP3 为+ 5 dBm , 5 V 工作电压下的消耗电流仅为3. 4 mA。
2021-11-15 15:51:39
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