基于CMOS工艺的变压器耦合毫米波功率放大器芯片设计.pdf内容概要：本文围绕CMOS工艺下的毫米波功率放大器芯片设计展开研究，重点解决了毫米波频段下无源器件设计困难、晶体管增益低、输出功率不足等关键技术难题。首先系统总结了具有阻抗变换功能的毫米波片上变压器式巴伦的设计方法，并提出通过调整中心抽头改善其平衡性的优化方案，同时建立了相应的集总元件模型以支持电路仿真与设计。随后，采用90nm CMOS工艺设计了八路输入、两路输出的功率合成变压器，并基于该结构实现了Q波段高输出功率功率放大器，实测在45GHz频率下增益达20.38dB，饱和输出功率为21.08dBm，峰值功率附加效率为14.5%。最后，针对W波段（100GHz）晶体管增益极低的问题，提出采用变压器耦合晶体管栅极与漏极信号的创新结构，在不牺牲效率和线性度的前提下提升增益约2dB，仿真结果显示小信号增益为14.8dB，饱和输出功率10.34dBm，峰值PAE为4.5%。; 适合人群：具备射频集成电路基础知识，从事毫米波芯片设计、高频电路研发的工程师及高校研究生。; 使用场景及目标：①掌握毫米波片上巴伦与变压器的设计与建模方法；②学习基于CMOS工艺实现高输出功率Q波段功放的设计流程与测试技术；③探索在晶体管接近截止频率时通过变压器耦合提升增益的创新电路结构。; 阅读建议：本文理论与实践结合紧密，建议读者结合电磁仿真工具（如HFSS）与电路仿真平台（如Cadence）进行复现，重点关注巴伦建模、功率合成结构设计及W波段增益提升机制，同时注意工艺参数、寄生效应与测试校准对性能的影响。

采用UMC 0.13-μm CMOS工艺,设计了一种应用于SDH系统STM-64(10Gb/s)速率级的低电压供电光接收机前置放大器。采用1.2V低电压供电和三级共源放大结构,跨阻中频增益为57.5dBΩ,-3dB带宽为10.1GHz,总的等效输入噪声电流为1.47μA,相位裕度为73.7°,可稳定工作在10Gb/s速率。芯片面积为0.54mm×0.74mm。

依据带隙基准原理，采用华润上华（CSMC）0.5 μm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺，设计了一种用于总线低电压差分信号（Bus Low Voltage Differential Signal，简称BLVDS）的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比。Hspice仿真结果表明，在电源电压VDD=3.3 V，温度T=25℃时，输出基准电压Vref=1.25 V。在温度范围为-45℃～+85℃时，输出电压的温度系数为20 pm/℃，电源电压的抑制比δ（PSRR）=-58.3 dB 。

给出基于0.13μm CMOS工艺、采用单时钟动态负载锁存器设计的四分频器。该四分频器由两级二分频器级联而成，级间采用缓冲电路实现隔离和电平匹配。后仿真结果表明其最高工作频率达37GHz，分频范围为27GHz。当电源电压为1.2V、工作频率为37GHz时，其功耗小于30mW，芯片面积为0.33×0.28 mm2 。

CMOS工艺技术,个人觉得还是不错的，比较完整

设计了一种1. 8 ～ 3. 3 V 的自偏置LDO 电路，无需外加基准电路，且具有良好的负载调整率和工艺兼容性。该电路采用无需双极型晶

CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路，高雪莲，骆丽，共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅��

一种基于65nm CMOS工艺的27.8KS/s, 0.35V，10位逐次逼近A/D转换器，朱樟明，邱政，设计实现了一款10位27.8KS/s 0.35V超低功耗逐次逼近型(SAR ) A/D转换器。提出了一种分段的三基准电容开关时序，有效地减小了电容D/A转换器�

这些是我课程设计时用到的，因为资源真的不好找，所以扣点资源分。希望对半导体集成电路课程设计的同学有所帮助。内容有mos和双极性晶体管等。

本文以比较器为基本电路，采用恒流源充放电技术，设计了一种基于1.0μm CMOS工艺的锯齿波振荡电路，并对其各单元组成电路的设计进行了阐述。同时利用Cadence Hspice仿真工具对电路进行了仿真模拟，结果表明，锯齿波信号的线性度较好，同时电源电压在5.0 V左右时，信号振荡频率变化很小;在适当的电源电压和温度变化范围内，振荡电路的性能较好，可广泛应用在PWM等各种电子电路中。