设计了一种可用于阵列波导光栅(AWG)解调集成微系统的绝缘体上硅(SOI)基2×2多模干涉(MMI)耦合器，用光束传播法(BPM)对MMI耦合器进行了模拟。耦合器输入/输出波导采用倒锥形，多模干涉区尺寸为6 μm×57 μm。在TE偏振中心波长为1.55 μm时，器件附加损耗为0.46 dB，不均匀性为0.06 dB。在1.49~1.59 μm波长范围内耦合器的附加损耗小于1.55 dB。仿真结果表明所设计的2×2 MMI耦合器体积小、附加损耗低、波长响应范围宽、分光均匀，符合片上集成系统的要求。

SOI光开关阵列的比较，邢斌，郭丽君，对于每年越来越多带宽的增加，全光网络是唯一用来提供所需的巨大带宽对于未来的方法。光开关是光网络中的基本元素，本文主要对ban

设计了一种1. 8 ～ 3. 3 V 的自偏置LDO 电路，无需外加基准电路，且具有良好的负载调整率和工艺兼容性。该电路采用无需双极型晶

SOI工艺技术

1951年到2000年一月的SST与soi指数作回归，MATLAB代码

为了改善SiGe异质结双极晶体管（HBT）的电学和频率特性，本文设计了一种新颖的SOI SiGe异质结双极晶体管结构。 与传统的SOI SiGe HBT相比，该器件结构的发射极和集电极区域的窗口宽度更小。 在Si0.85Ge0.15引起的附加单轴应力作用下，集电极区，基极区和发射极区均发生应变，这有利于提高SiGe HBT的性能。 借助SILVACOⓇTCAD工具，数值模拟结果表明，在1062和186 V时分别获得了最大电流增益βmax和Earley电压VA，β与VA的乘积即β×VA为1.975×105当基极中的Ge分量配置为梯形分布时，V和峰值截止频率fT为419 GHz。 与传统的SOI SiGe HBT相比，提出的SOI SiGe HBT架构的截止频率fT改善了52.9％。

为了研究深亚微米 SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应，采用TCAD工具对0.13 μm SOI工艺 H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×108～1×1010 (Gy(Si)/s)的7个点，模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量率之间的数值关系。从模拟结果可以看出，γ剂量率在小于5×109 Gy(Si)/s的辐照时对器件影响很小。表明了该结构器件具有较强的抗瞬时剂量率辐射能力，为超大规模集成电路抗瞬时剂量率加固设计提供了依据。

以往对SOI器件的建模基本上基于漂移区全耗尽的假设,且大多未考虑场板对表面势场分布的影响。通过分区求解二维泊松方程,建立了场板SOI RESURF LDMOS表面电势和表面电场分布解析模型。该模型同时考虑了栅场板和漏场板的作用,既适用于漂移区全耗尽的情况,也适用于漂移区不全耗尽的情况。利用此模型和半导体器件仿真工具Silvaco,详细探讨了器件在不同偏压下栅场板和漏场板对漂移区表面电势和电场分布的影响。解析模型结果与数值仿真结果吻合良好,验证了模型的准确性。

选用SIMOX（Separation by Implantation of Oxygen）衬底材料，对全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究，开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺，获得了性能良好的器件和电路。nMOS和pMOS的驱动电流都比较大，且泄漏电流很小，在工作电压为3V时，1.2μm 101级环振的单级延迟仅为50.5ps。

绝缘体上硅(SOI)技术已有30多年的历史，它开始于20世纪60年代的蓝宝石上异质外延硅(SOS)。SOI技术的发展可以分为3个阶段[27~29]：第一阶段是在20世纪60年代，蓝宝石上异质外延硅（SOS）技术制备SOI材料，用于开发微处理器电路；第二阶段出现在20世纪80年代初期，提出了在硅衬底上离子注入氧原子，再经过高温退火使氧与硅原子发生反应生成一层SiO2，SiO2上面是一层很薄的硅层，这就是注氧隔离技术（SIMOX）, 主要开发了作为抗辐射器件的SRAM；第三阶段在20世纪80年代中期,提出了键合SOI技术,这一技术一直延伸发展到目前。由于SOI材料具有高压、抗辐射、低泄漏和寄生效应