//烧写uImage: tftp 0x30800000 uImage nand erase 0x40000 0x1C0000 nand write 0x30800000 0x40000 0x1C0000 // 将sdram 0x30800000位置处的数据写到nandflash的0x40000位移处,写入大小为0x1C0000

先对ONFI标准进行了介绍，然后再设计了一种支持ONFI2．1标准源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括状态机的设计，接口的设计等。对设计中遇到的源同步模式下，信号的对齐问题进行了说明，并提出了一种解决方法。同时设计中还会遇到数据跨时钟域传输的问题，本文也给出了解决办法。最后仿真和综合结果表明，本文的设计完全满足标准要求，具有实际的使用价值。

准备一个8G优盘将其格式化为fat32格式 然后将附件内的四个文件复制到U盘 短接强刷即可

使用VS2010移植的标准BCH编解码程序，可以自定义BCH的参数，编解码的结果与主流硬件BCH一直，用于BCH纠错测试验证；也可以用作BCH算法的学习，有兴趣的朋友可以看看。，

基于FPGA和NAND Flash的存储器ECC设计与实现.pdf

3D_NAND闪存存储器可靠性研究与系统优化_贾梦华.caj

介绍NAND Flash的控制器中使用的ECC模式，深入讲解原理及实现。

ECC 的全称是 Error Checking and Correction，是一种用于 Nand 的差错检测和修正算 法。如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，NAND Flash 出错的时候一般不会造成整 个 Block 或是 Page 不能读取或是全部出错，而是整个 Page（例如 512Bytes）中只有一个或 几个 bit 出错。ECC 能纠正 1 个比特错误和检测 2 个比特错误，而且计算速度很快，但对 1 比特以上的错误无法纠正，对 2 比特以上的错误不保证能检测。

西部数据公司 (NASDAQ: WDC) 日前宣布已成功开发第五代 3D NAND 技术——BiCS5，继续为行业提供先进的闪存技术来巩固其业界领先地位。BiCS5 基于 TLC 和 QLC 技术构 建而成，以有竞争力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在车联网、移动设备和人工智能等相关数 据呈现指数级增长的当下，BiCS5 成为了理想的选择。

这个是东芝nand flash TC58NVG3D1DTG00_E070118C的芯片资料