可靠性是三维NAND闪存(3D NAND Flash)记忆体技术发展中最重要的挑战之一。随着市场对数据存储密度增长的需求,而对存储介质的面积增长需求却保持不变,这就要求内存设备的存储容量在不增加面积占用的前提下持续增长。为此,提高内存密度和缩小存储单元尺寸变得势在必行。
在传统的二维(2D)NAND闪存技术向三维(3D)架构转变的过程中,以电荷陷阱(Charge Trap, CT)技术为基础的NAND存储单元被认为是最具发展前景的技术之一,因为它比浮栅(Floating Gate, FG)技术有更好的可扩展性。尽管CT存储单元在理论上显示出了高度的潜力,但是这种技术也存在若干可靠性问题。并且,从2D到3D的过渡改变了已知的可靠性问题的影响,并产生了新的问题。
在三维NAND闪存的研究领域中,主要的可靠性机制被广泛研究。其中包括从基本的可靠性问题开始,涉及影响NAND闪存的物理和架构方面的因素。为了保证信息存储的正确性和稳定性,NAND技术必须确保即使在经过大量写操作并且长时间存储后,存储的信息依然能够保持不变。
本章将围绕影响三维NAND闪存的可靠性机制进行探讨,提供了3DFG和3DCT设备在可靠性和预期性能方面的比较。通过分析基本的可靠性问题,包括物理和架构方面的问题,将具体讨论影响2D记忆体和CTNAND存储单元可靠性的物理机制。此外,文章将回顾实验中发现的主要问题。
为了应对这些挑战,研究人员提出了新的三维垂直FG型NAND存储单元阵列。这类新设计的阵列具有前景看好的性能表现,并有助于克服三维NAND闪存在可靠性方面的问题。
上述内容中,还提到了文章作者A. Grossi, C. Zambelli和P. Olivo,他们在意大利费拉拉大学的工程系工作,并分别通过电子邮件联系。此外,本书名为《3D闪存》,由Springer Science+Business Media出版,并且在本章中,将深入分析影响三维NAND闪存记忆体的主要可靠性问题,以及基于这些分析,如何通过比较不同技术(如3DFG和3DCT)来预期未来的性能表现。这些内容无疑为理解三维NAND闪存技术的可靠性问题提供了丰富的理论基础和实践经验。
                                    
                                    
                                         2025-10-29 18:03:47 
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