IIC接口的铁电存储器测试程序，已通过验证

FM24CL64中文资料_无延迟写周期_铁电存储器

行业分类-电信-一种基于铁电存储器的流量检测装置.rar

摘要：RAMTRON公司生产的并行接口高性能铁电存储器FM1808是NV-SRAM的理想替代产品。文中介绍了FM1808的性能特点、引脚功能和工作原理，同时重点介绍了铁电存储器的应用特点及与其它类型存储器之间的应用差别，给出了FM1808的设计应用要点。 关键词：FRAM；并行接口；铁电存储器；FM1808１ 引言目前，数据写入频率要求较高且要求掉电不丢失数据的应用领域，通常采用内部具有锂电池的不挥发ＮＶ－ＳＲＡＭ作为存储器件，但该类器件昂贵的价格又制约了其在价格敏感领域的应用，而如果使用与其兼容的铁电存储器ＦＲＡＭ，则可很好地解决成本问题，同时又可得到更高的数据存储可靠性。铁电存储器是

FRAM铁电存储器技术资料FRAM应用设计论文资料16篇合集： 1kbit铁电存储器电路设计技术研究_张德凯.pdf FRAM存储技术进入汽车核心应用领域_Michael Hollabaugh.pdf 一款铁电存储器的电离总剂量效应研究_牛振红.pdf 几种新型非易失存储器的原理及发展趋势_蒋明曦.pdf 基于PCIE固态硬盘的嵌入式存储技术.pdf 基于PZT的高可靠铁电存储器关键技术研究_翟亚红.pdf 基于SPI总线的FRAM存储设计_王磊.pdf 基于嵌入式Linux的汽车行驶记录仪存储系统的设计与实现.pdf 基于铁电存储器的弹载数据高速存储系统研究_黄建军.pdf 存储测试系统中FLASH的存储可靠性技术研究_高阳.pdf 嵌入式Linux下的FRAM驱动程序设计_孙宇航.pdf 硅工艺兼容型铁电存储器的多逻辑态存储研究_侯鹏飞.pdf 铁电存储器激光微束单粒子效应试验研究_魏佳男.pdf 铁电存储器的辐射效应及其抗辐射加固技术研究_辜科.pdf 非易失性存储器在汽车系统中的应用_许敏.pdf 飞秒脉冲激光辐照FRAM诱发的毁伤效应及热演化_乔相信.pdf

使用STM32单片机驱动铁电存储器FM25L16B的程序、实现了已下代码： void FM25L16B_Init(void); void FM25L16B_Write(u16 addr,u8 *data,u16 num); void FM25L16B_Read(u16 addr,u8 *data,u16 num); void FM25L16B_WriteByte(u16 addr,u8 data); u8 FM25L16B_ReadByte(u16 addr); u8 FM25L16B_ReadStatus(void); void FM25L16B_WriteStatus(u8 data);

STM32 FM25L04B 源程序代码！FM25L04B 是一个串行的 F-RAM 存储器。该存储器阵列被逻辑组织为 512 × 8 位，通过使用工业标准的串行外设接口 （ SPI）总线可以访问该存储器阵列。 F-RAM 和串行闪存以及串行EEPROM 具有相同的功能操作。 FM25L04B 与串行闪存或具有相同引脚分布的EEPROM的主要区别在于F-RAM具有更好的写性能、高耐久性和低功耗。

SPI工作于模式3，与铁电存储器FM25V01通信实现存储器的读写，已在实验板上实现

本资源主要是以stc15w60s2为开发平台，进行铁电读取与擦写实验，适用于数据的快速存储与高擦写次数的研究。

富士通储存芯片 MB85RC256技术资料，比较全面，包括储存方式、封装等介绍。