PIC16F882/883/884/886/887设备包含在本数据表中。PIC16F882/883/886设备有28针PDIP、SOIC、SSOP和QFN封装。PIC16F884/887有40针PDIP和44针QFN和TQFP封装。图1-1显示PIC16F882/883/886设备的框图，图1-2显示PIC16F884/887设备。表1-1和表1-2显示了相应的引脚说明。

本节通过一个 5.5GHz 低噪声放大器来讨论利用 Cadence IC 来进行低噪声放 大器原理图设计、仿真参数设置、版图绘制等基本方法和流程。 低噪声放大器的设计指标如下：  频率： 5.5GHz  增益： >15dB  噪声系数： <1.5dB  电压： 1.2V 本例选用 65nm CMOS 工艺来设计。

从调整电路结构着手，介绍了一种可变输出电压的基准源。这种基准电压能够在保持相对较小的电源电压和温度敏感度的情况下实现可调输出电压。

一种恒定跨导轨到轨CMOS运算放大器的设计，罗刚，，设计了一种低压、恒定跨导的轨到轨CMOS运算放大器。通过输入信号的共模电平控制两个差分输入级的尾电流源来稳定跨导，输出级采用AB

OV4689是一个高性能的4百万像素camerachip传感器在原生16:9格式设计的下一代监控和安全系统。传感器采用先进的2μmomnibsi-2™像素提供了一流的低光灵敏度和高动态范围（HDR） OV04689OV04689-H67AOmniVision400万像素传感器HDR厂家：OmniVision封装：CSP 香港科威芯电子有限公司海思及sensor系列产品深圳大量现货供应

在超大规模集成电路( VLSI) 设计中, 随着深亚微米技术的应用、芯片集成度的不断提高以及 系统工作频率的加快, 均导致了集成电路的功耗越来越大. 而功耗的增大, 一方面影响了依赖电池 供电的便携式设备的使用, 另一方面芯片的过热也使系统的可靠性降低. 这使得低功耗设计技术日 益成为VLSI 设计者关注的热点. 美国半导体工业联合会在1992 年已确认低功耗技术是当前集成 电路设计的一个紧急技术需要。

放大器设计cmos放大器设计经典中的经典不能不看 圣经宝典

CMOS集成电路中的电源、地的ESD保护电路设计 ESD保护电路设计

随着过去几十年里掌上智能终端快速发展，低压差的线性稳压器(Low Drop-out Regulator,LDO)因其具有低功耗、高的电源抑制比、体积小、电路设计简单等优点得到大量应用。LDO大部分时间工作在低负载应用，因此，其在低负载情况下的静态电流消耗决定着电池的寿命。

针对传统过温保护（OTP）电路的温度阈值点和迟滞量受电源电压影响较大和功耗大等缺点，基于0.18 μm BCD工艺，设计了一种新型的高稳定和低功耗的过温保护电路。通过引入带有温度系数电流的反馈技术实现温度阈值点和迟滞量。Hspice仿真结果表明，当温度达到138℃时，能准确地关闭系统，达到保护电路的目的；当温度降低126℃时，系统恢复正常工作。电源电压在3~5 V之间变化时，过温保护的温度阈值点和迟滞漂移量分别为1.75℃和0.05℃，该电路具有结构简单、功耗低和抗干扰能力强等特点，过温保护电路表现出优良的性能，满足了过温保护电路的低功耗和高稳定性的设计要求。