行业分类-电子电器-一种银镍或银铁电接触材料及其制备方法.zip

摘要：RAMTRON公司生产的并行接口高性能铁电存储器FM1808是NV-SRAM的理想替代产品。文中介绍了FM1808的性能特点、引脚功能和工作原理，同时重点介绍了铁电存储器的应用特点及与其它类型存储器之间的应用差别，给出了FM1808的设计应用要点。 关键词：FRAM；并行接口；铁电存储器；FM1808１ 引言目前，数据写入频率要求较高且要求掉电不丢失数据的应用领域，通常采用内部具有锂电池的不挥发ＮＶ－ＳＲＡＭ作为存储器件，但该类器件昂贵的价格又制约了其在价格敏感领域的应用，而如果使用与其兼容的铁电存储器ＦＲＡＭ，则可很好地解决成本问题，同时又可得到更高的数据存储可靠性。铁电存储器是

FRAM铁电存储器技术资料FRAM应用设计论文资料16篇合集： 1kbit铁电存储器电路设计技术研究_张德凯.pdf FRAM存储技术进入汽车核心应用领域_Michael Hollabaugh.pdf 一款铁电存储器的电离总剂量效应研究_牛振红.pdf 几种新型非易失存储器的原理及发展趋势_蒋明曦.pdf 基于PCIE固态硬盘的嵌入式存储技术.pdf 基于PZT的高可靠铁电存储器关键技术研究_翟亚红.pdf 基于SPI总线的FRAM存储设计_王磊.pdf 基于嵌入式Linux的汽车行驶记录仪存储系统的设计与实现.pdf 基于铁电存储器的弹载数据高速存储系统研究_黄建军.pdf 存储测试系统中FLASH的存储可靠性技术研究_高阳.pdf 嵌入式Linux下的FRAM驱动程序设计_孙宇航.pdf 硅工艺兼容型铁电存储器的多逻辑态存储研究_侯鹏飞.pdf 铁电存储器激光微束单粒子效应试验研究_魏佳男.pdf 铁电存储器的辐射效应及其抗辐射加固技术研究_辜科.pdf 非易失性存储器在汽车系统中的应用_许敏.pdf 飞秒脉冲激光辐照FRAM诱发的毁伤效应及热演化_乔相信.pdf

flash存储数据是先擦除块，然后在写入。因为需要擦除块，所以瞬间断电的情况，有可能会造成数据丢失。 对于一些不需要再运行时来回擦除写入的情况下是没有什么问题的，但是如果运行中需要来回擦写flash。 那么久可能会出现丢失数据的情况。不用怀疑flash速度那么快一般不会出现这种情况，事实证明是会的。 推荐如果出现这种情况，建议使用铁电存储芯片，这个芯片的擦写速度极快，对于写入数据不是很大的情况下，断电导致数据丢失的情况不大。

基于横场伊辛模型，利用平均场近似理论推导久期方程的解，研究了单、双表面层铁电薄膜在不同总层数时，系统表面交换相互作用和内、外横场参量对铁电-顺电相变的影响，讨论了铁电薄膜各交换相互作用和横场参数以及薄膜层数对单、双表面铁电薄膜相图的影响，并计算了各个相互作用参数的过渡值特性。研究结果表明: 薄膜总层数n、表面层数、内外部横场、表面交换相互作用都会改变铁电薄膜的相图。利用薄膜的尺寸效应和表面效应，增大系统总层数、表面层数和表面交换相互作用，可以提高薄膜相变温度，扩大铁电相区域，从而有利于改善铁电功能器件的环境温度。

使用STM32单片机驱动铁电存储器FM25L16B的程序、实现了已下代码： void FM25L16B_Init(void); void FM25L16B_Write(u16 addr,u8 *data,u16 num); void FM25L16B_Read(u16 addr,u8 *data,u16 num); void FM25L16B_WriteByte(u16 addr,u8 data); u8 FM25L16B_ReadByte(u16 addr); u8 FM25L16B_ReadStatus(void); void FM25L16B_WriteStatus(u8 data);

MAXQ1050_为fm24CL16铁电IIC例程

制作了La0.67Sr0.33MnO3（LSMO）/Pb0.92La0.08Zr0.65Ti0.35O3（PLZT）复合膜通过溶胶-凝胶技术在（001）LaAlO3（LAO）单晶衬底上沉积。 X射线的结果衍射（XRD）表明LSMO和PLZT可以在LAO衬底上连续生长。 （001）首选方向。 LAO / LSMO / PLZT的铁电和铁磁特性复合膜也进行了研究。 结果表明，残留极化Pr和室温下复合膜的矫顽场Ec为36.38μC/ cm2和512.43 kV / cm 分别。 此外，复合膜表现出明显的铁磁磁滞回线和低于250 K的温度下的软磁行为。

STM32 FM25L04B 源程序代码！FM25L04B 是一个串行的 F-RAM 存储器。该存储器阵列被逻辑组织为 512 × 8 位，通过使用工业标准的串行外设接口 （ SPI）总线可以访问该存储器阵列。 F-RAM 和串行闪存以及串行EEPROM 具有相同的功能操作。 FM25L04B 与串行闪存或具有相同引脚分布的EEPROM的主要区别在于F-RAM具有更好的写性能、高耐久性和低功耗。

FM24C04B是一种采用先进铁电工艺的4K字节非易失性存储器。铁电随机访问存储器(FRAM)是非易 失性的， 可如RAM一样进行读写操作。 数据能可靠保留38年，同时可消除由EEPROM和其它非易失性存储 器引起的复杂性、 资源开销和系统级可靠性问题。 FM24C04B以总线速度执行写操作， 且不会发生延迟。数据成功传输到器件后， 会在（ 总线） 周期内 写入内存阵列， 下个总线周期可立即开始，而无需进行数据轮询。 FM24C04B可支持1012个读/写周期， 或比EEPROM多100万次的写周期。 注：本文档是根据英文版本翻译而来，若存在不清楚或错误之处，请参考英文版本。