一、 实验目的 1.掌握用集成模拟乘法器实现全载波调幅和抑制载波双边带调幅的方法与过程，并研究已调波与输入信号的关系。 2.掌握测量调幅系数的方法。 3.通过实验中波形的变换，学会分析实验现象。 二、 实验原理 1．振幅调制信号分类 2．调制方法及调制电路分类 3．双差分对调制器 三、 实验仪器 1．双踪示波器。 2．高频信号发生器。 3．万用表。 4．实验板G3。 四、 实验内容及步骤、结果，对结果的分析 1．直流调制特性的测量 2．实现全载波调幅 3．实现抑制载波调幅 五、思考题 六、总结体会 实验报告——振幅调制器 一、实验目的 本次实验旨在让学生掌握使用集成模拟乘法器进行全载波调幅（AM）和抑制载波双边带调幅（DSB）的技术，理解调幅波与输入信号之间的关系，并学习测量调幅系数的方法。此外，通过观察和分析实验中的波形变化，提升对信号处理现象的理解。 二、实验原理 1. 振幅调制信号分类 振幅调制是通信中常见的一种调制方式，它通过改变高频载波的振幅来传递信息。主要分为三类：普通调幅（AM）、抑制载波的双边带调制（DSB）和单边带调制（SSB）。AM是载波幅度随调制信号变化，而载波频率保持不变。DSB和SSB则进一步减少了不必要的频谱成分，提高频带利用率。 1.1 调幅波 调幅波的表达式取决于调制信号的类型，当调制信号为单一频率时，调幅波的表达式为(1+ma)cos(ωc t + φm)，其中ma是调制度，ωc是载波角频率，φm是调制信号相位。调幅波的频谱包含载波和两个边频，其带宽等于调制信号的最高频率的两倍。 1.2 双边带调制 双边带调制（DSB）通过消除载波，只保留调制信号的上、下边频。表达式为cos(ωc t)[1+ mcos(ωm t)]。DSB的功率利用率相对较高，因为它仅包含有用信息的功率。 1.3 单边带调制 单边带调制（SSB）进一步减少了频谱占用，分为上边带和下边带，表达式为2cos(ωc t)[cos(ωm t)±m]。SSB的带宽仅为调制信号最高频率，具有很高的频带利用率。 三、调制方法及电路分类 调制电路分为两类：高电平调制和低电平调制。高电平调制常用于AM，直接在高频功率放大器中完成调制。低电平调制，如DSB和SSB，先在低功率级别调制，再进行功率放大。调制的关键在于产生调制信号与载波的乘积项，这可以通过非线性电路或线性时变电路实现。线性时变电路在某些条件下（如Ucm >> Um）可以简化为线性电路，减少不需要的频率分量。 四、实验内容与步骤 实验中，学生会测量直流调制特性，实施全载波调幅和抑制载波调幅，并对结果进行分析。这涉及使用双踪示波器、高频信号发生器、万用表等设备，以及实验板G3。 五、思考题 实验后，学生会被要求思考如何优化调制效率，以及如何减少调幅过程中产生的失真，以加深对调制原理的理解。 六、总结体会 通过本次实验，学生不仅掌握了调制技术，还锻炼了分析和解决问题的能力，对高频电子线路有了更深入的认识。 总结来说，振幅调制是通信基础中的重要概念，它涉及到信号处理、频谱利用率和功率管理等多个方面。通过实验，学生能够直观地理解这些理论知识，并为今后的电子工程实践打下坚实的基础。

本文回顾并阐述了动量旋扭草丛正几何形状对于平面N = 4 $$ \ mathcal {N} = 4 $$ SYM散射幅度的重要作用。 首先，我们为树幅建立正草曼几何的基本原理，包括无处不在的普吕克坐标和简化的草曼几何的表示。 然后，我们围绕这四个主要方面来制定本主题，而无需参考壳上的图和修饰的排列：1.在引入称为“正分量”的简单构造块后，仅从正性推导树和1环BCFW递归关系。 正矩阵。 2.应用Grassmannian几何和Plücker坐标来确定N2MHV同源性的符号，这些符号将各种Yangian不变量相互联系。 它揭示了大多数迹象实际上是简单的6项NMHV身份的秘密化身。 3.推导堆积正关系，这对于以d log形式的正变量参数化矩阵表示非常有力。 它将与简化的Grassmannian几何表示一起使用，以产生给定几何配置的正矩阵，这是一种独立的方法，除了涉及一系列BCFW桥的组合方法之外。 4.引入了BCFW递归关系的一种优雅且高度精细的形式，用于树幅，揭示了它的双重单纯形结构。 首先，将BCFW轮廓按照（简化的）Grassmannian几何表示进行精细地分解为三角形总和，因为

集电极调幅电路&模拟乘法器实现DSB调制仿真电路 1、掌握晶体管集电极调幅和模拟乘法器调幅的工作原理和工程分析方法。 2、掌握调幅波与调制信号、载波信号的关系。 3、掌握调幅系数测量与计算方法。 4、通过实验对比AM波与DSB信号的异同点。

MC1496构成振幅调制器multisim仿真源文件，调幅仿真，multisim打开即用

阿贝尔希格斯模型构成了电弱标准模型的重要组成部分：它是仅包含Z 0和希格斯玻色子的扇区。 我们提供了基于图的证明，表明该模型在单一量规内部仅发生物理自由度，并且在树级别具有统一性。 我们用无质量近似推导了壳外振幅的组合递推关系，这使我们能够证明在该模型中，对于任何树级振幅，违反统一性的高能行为的前两个阶数的抵消。 我们通过将物理相空间扩展到至少7个时空维度来描述振幅的变形，这将导致壳上递归关系àBCFW。 这些导致一个简单的证明，即所有带壳树的振幅都服从部分波的统一性。

我们使用双副本构造在N $$ \ mathcal {N} $$ = 2超对称的齐次Maxwell-Einstein超重力中计算一环物质振幅。 我们从N $$ \ mathcal {N} $$ = 2超级杨-米尔斯理论的振幅开始，其中的物质显然服从颜色和运动学之间的对偶。 利用外部超多重振幅具有运动分子的事实，这些分子不对回路动量表现出任何明确的依赖性，我们发现超重力振幅的单回路发散与非超对称轨距理论的β函数之间的关系 进入施工。 在一个循环中生成两个不同的线性化对等项。 对于所有同质超重力，与第一个对应的散度都不为零，而仅在四个魔术超重力的情况下，与第二个相关的散度才消失。

我们开始在量子水平上研究4d中的非超对称Born-Infeld电动力学。 在自对偶（+ +…+）和下对自对偶（-+…+）螺旋度扇区中，为纯粹有理的单环幅度计算显式全多重性表达式。 使用超对称分解，在耦合大质量复标量的Born-Infeld光子的4d模型中，被积物的d维统一性割因分解为树振幅。 构造Born-Infeld被积物所需的两标量树幅振幅是通过两种互补方法计算得出的：（1）作为Yang-Mills的双份副本，再加上手性摄动理论的尺寸缩减形式的大规模伴随标量， （2）通过在从4d减少到3d和T对偶的情况下与低能定理保持一致。 使用维数移位形式将Born-Infeld被积在d = 4 − 2ϵ维上以O∈0 $$ \ mathcal {O} \ left（{\ in} ^ 0 \ right）$$的阶数进行积分。 我们对量子Born-Infeld理论中电磁对偶性的含义进行评论。

我们在一般的Chern-Simons玻声子和费米子矢量模型中给出四点函数的精确大N演算。 将LSZ公式应用于四点函数，我们在这些理论中确定两个物体的散射幅度，并特别注意非解析项，以实现单线态通道的统一性。 我们表明，S矩阵享有玻色化对偶性，不寻常的交叉关系以及对Aharonov-Bohm散射的非相对论性还原。 我们还认为，S矩阵会在一定的耦合常数范围内发展出一个极点，该极点在该理论还原为与自由费米子相互作用的Chern-Simons理论的范围内消失。

光学元件上存在的缺陷缺陷传输传输光束产生的局域振幅和位相调制。基于衍射理论模型和分步傅里叶算法，模拟分析了高斯透射穿过表面有缺陷的非线性介质的传输过程中于介质内及从介质出射后在自由空气的传输特性，并详细研究了在厚介质前表面有缺陷的情况下，介质中和自由空气中的光强分布变化规律。非线性折射率，光束整体聚焦越厉害，聚焦点离介质后表面越近。光束受调制点的位置离中心越近，光束分裂成丝产生的局部光强，且介质表面存在缺陷将使通过的光束在介质后表面处产生一个很大的光强，相位调制型缺陷产生的这一光强点比渐变调制型缺陷产生的光强点更强。

使用北京大学的代表分析低能π-核子散射的S波和P波相移，将其分解为极点或分支切口的各种项。 我们借助于相对论性重子手性扰动理论中推导的树级扰动幅度，估计左切贡献，直到$$ \ mathcal {O}（p ^ 2）$$ O（p2）。 结果发现，在$$ S_ {11} $$ S11和$$ P_ {11} $$ P11通道中，已知共振和切角的贡献远远不足以饱和实验相移数据–强烈表明低极点的贡献 之前尚未发现，我们将全面探讨其背后可能的物理学。 另一方面，在其他渠道中未发现严重分歧。