《高精度低功耗：基于65nm工艺和1.2V电源电压的Pipeline SAR ADC模数转换器设计指南》,12bit 100MHz pipelined SAR ADC模数转器 设计 65nm工艺，电源电压1.2V,ENOB=11.6 有详细教程原理文档 有工艺库，直接导入自己的cadence 有导入教程，你搞不定我可以帮你导入 结构: 栅压自举开关 CDAC 两级动态比较器 第一级6位SAR ADC 余量放大器 第二级8位SAR ADC 同步和异步SAR logic都有 原理仿真讲解，文档里都有 适合入门pipelined ADC的拿来练手，大佬勿扰 ,12bit 100MHz SAR ADC模数转换器; 65nm工艺; 电源电压1.2V; ENOB=11.6; 详细教程原理文档; 工艺库导入; 栅压自举开关; CDAC; 两级动态比较器; 6位SAR ADC; 余量放大器; 8位SAR ADC; 同步和异步SAR logic; 原理仿真讲解。,基于12位100MHz的Pipeline SAR ADC模数转换器设计：细节解析与导入教程

内容概要：本文详细介绍了TSMC 65nm工艺库中的emxproc文件及其在电磁仿真中的应用。emxproc文件作为EMX工艺配置文件，包含了金属层厚度、介电常数等物理参数，对仿真精度至关重要。文中通过具体实例讲解了路径设置、参数配置、常见错误及解决方法，并提供了优化仿真性能的技巧。此外，强调了不同EMX版本之间的差异以及参数验证的重要性。 适合人群：从事射频电路设计、电磁仿真工作的工程师和技术人员。 使用场景及目标：帮助用户正确配置和使用emxproc文件，提高电磁仿真的准确性和效率，避免因配置不当导致的仿真结果偏差。 其他说明：文中提供了多个实用的代码片段和调试建议，如路径设置、参数单位转换、仿真参数配置等，有助于解决实际工作中遇到的问题。

内容概要：本文详细介绍了基于TSMC 65nm RF工艺库的射频集成电路（RFIC）设计，涵盖低噪声放大器（LNA）、混频器（MIXER）和功率放大器（PA）。通过具体实例展示了如何利用工艺库进行电路设计、仿真和优化，强调了实际工程经验和工艺特性对设计的影响。文中提供了大量代码片段和仿真技巧，帮助读者更好地理解和应用这些复杂的设计方法。 适合人群：具有一定射频电路基础知识的研发人员和技术爱好者，尤其是希望深入了解RFIC设计细节的人群。 使用场景及目标：① 学习如何在实际工程中应用TSMC 65nm RF工艺库进行LNA、MIXER和PA设计；② 掌握射频电路设计中的关键技术和仿真技巧；③ 提升对工艺特性和非理想因素的理解，避免常见设计错误。 其他说明：本文不仅提供理论指导，还分享了许多实际操作中的宝贵经验，如噪声系数优化、本振泄露控制、阻抗匹配等，有助于提高设计成功率和性能。

TSMC 65nm 工艺库 可用于spice仿真模型

TCMC65nmGP与LP工艺比较，李立，程旭，本文主要针对TSMC65nm工艺进行深入研究，充分比较了GP（General Purpose）和LP（Low Power）两种工艺下漏电，跨导增益和MOS开关导通电阻这三个

向65nm工艺提升中的半导体清洗技术.pdf